Susceptor Tong Bersalut Silikon Karbida

Semicorex Silicon Carbide Coated Barrel Susceptor ialah produk grafit berkualiti tinggi yang disalut dengan SiC ketulenan tinggi, menawarkan rintangan haba dan kakisan yang luar biasa. Ia direka khusus untuk aplikasi LPE dalam industri pembuatan semikonduktor.

Hantar Pertanyaan

Penerangan Produk

kamiSusceptor Tong Bersalut Silikon Karbidadaripada Semicorex ialah penyelesaian ideal untuk mengembangkan kristal tunggal dalam persekitaran suhu tinggi dan menghakis.

Di Semicorex, kami menumpukan pada penyediaan berkualiti tinggi, kos efektifbersalut silikon karbidasusceptor tong, kami mengutamakan kepuasan pelanggan dan menyediakan penyelesaian yang kos efektif. Kami berharap untuk menjadi rakan kongsi jangka panjang anda, menyampaikan produk berkualiti tinggi dan perkhidmatan pelanggan yang luar biasa.

Parameter bagiBersalut Silikon KarbidaPenerima tong

Spesifikasi Utama bagiSalutan CVD-SIC
Sifat SiC-CVD
Struktur Kristal	fasa FCC β
Ketumpatan	g/cm ³	3.21
Kekerasan	Kekerasan Vickers	2500
Saiz Bijirin	μm	2~10
Ketulenan Kimia	%	99.99995
Kapasiti Haba	J kg-1 K-1	640
Suhu Sublimasi	℃	2700
Kekuatan Feleksural	MPa (RT 4 mata)	415
Modulus Muda	Gpa (4pt selekoh, 1300℃)	430
Pengembangan Terma (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Kekonduksian terma	(W/mK)	300

Ciri-ciriBersalut Silikon KarbidaPenerima tong

- Kedua-dua substrat grafit dan lapisan silikon karbida mempunyai ketumpatan yang baik dan boleh memainkan peranan perlindungan yang baik dalam suhu tinggi dan persekitaran kerja yang menghakis.

- Suseptor bersalut silikon karbida yang digunakan untuk pertumbuhan kristal tunggal mempunyai kerataan permukaan yang sangat tinggi.

- Mengurangkan perbezaan dalam pekali pengembangan haba antara substrat grafit dan lapisan silikon karbida, meningkatkan kekuatan ikatan secara berkesan untuk mengelakkan keretakan dan penyimpangan.

- Kedua-dua substrat grafit dan lapisan silikon karbida mempunyai kekonduksian terma yang tinggi, dan sifat pengagihan haba yang sangat baik.

- Takat lebur tinggi, rintangan pengoksidaan suhu tinggi, rintangan kakisan.