Rumah > Produk > Bersalut Silikon Karbida > Susceptor tong > Tong Reaktor Epitaxial Bersalut SiC
Tong Reaktor Epitaxial Bersalut SiC

Tong Reaktor Epitaxial Bersalut SiC

Semicorex SiC Coated Epitaxial Reactor Barrel ialah produk grafit berkualiti tinggi yang disalut dengan SiC ketulenan tinggi. Ketumpatan dan kekonduksian terma yang sangat baik menjadikannya pilihan yang ideal untuk digunakan dalam proses LPE, memberikan pengagihan haba yang luar biasa dan perlindungan dalam persekitaran yang menghakis dan suhu tinggi.

Hantar Pertanyaan

Penerangan Produk

Apabila bercakap tentang pembuatan semikonduktor, Tong Reaktor Epitaxial Bersalut Semicorex SiC ialah pilihan utama untuk prestasi unggul dan pengagihan haba yang luar biasa. Disalut dengan SiC ketulenan tinggi, produk grafit ini memberikan rintangan kakisan dan haba yang luar biasa, memastikan hasil yang boleh dipercayai dan konsisten setiap masa.

Di Semicorex, kami memberi tumpuan kepada menyediakan produk berkualiti tinggi dan kos efektif kepada pelanggan kami. Tong Reaktor Epitaxial Bersalut SiC kami mempunyai kelebihan harga dan dieksport ke banyak pasaran Eropah dan Amerika. Kami menyasarkan untuk menjadi rakan kongsi jangka panjang anda, menyampaikan produk berkualiti yang konsisten dan perkhidmatan pelanggan yang luar biasa.


Parameter Barel Reaktor Epitaxial Bersalut SiC

Spesifikasi Utama Salutan CVD-SIC

Sifat SiC-CVD

Struktur Kristal

Fasa FCC β

Ketumpatan

g/cm ³

3.21

Kekerasan

Kekerasan Vickers

2500

Saiz bijirin

μm

2~10

Ketulenan Kimia

%

99.99995

Kapasiti Haba

J·kg-1 ·K-1

640

Suhu Sublimasi

2700

Kekuatan Feleksural

MPa (RT 4 mata)

415

Modulus Muda

Gpa (4pt selekoh, 1300â)

430

Pengembangan Terma (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Kekonduksian terma

(W/mK)

300


Ciri-ciri Barel Reaktor Epitaxial Bersalut SiC

- Kedua-dua substrat grafit dan lapisan silikon karbida mempunyai ketumpatan yang baik dan boleh memainkan peranan perlindungan yang baik dalam suhu tinggi dan persekitaran kerja yang menghakis.

- Suseptor bersalut silikon karbida yang digunakan untuk pertumbuhan kristal tunggal mempunyai kerataan permukaan yang sangat tinggi.

- Kurangkan perbezaan dalam pekali pengembangan terma antara substrat grafit dan lapisan silikon karbida, dengan berkesan meningkatkan kekuatan ikatan untuk mengelakkan keretakan dan delaminasi.

- Kedua-dua substrat grafit dan lapisan silikon karbida mempunyai kekonduksian terma yang tinggi, dan sifat pengagihan haba yang sangat baik.

- Takat lebur tinggi, rintangan pengoksidaan suhu tinggi, rintangan kakisan.




Teg Panas: Tong Reaktor Epitaxial Bersalut SiC, China, Pengilang, Pembekal, Kilang, Disesuaikan, Pukal, Termaju, Tahan Lama

Kategori Berkaitan

Hantar Pertanyaan

Sila berasa bebas untuk memberikan pertanyaan anda dalam borang di bawah. Kami akan membalas anda dalam masa 24 jam.
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept