Susceptor Tong Bersalut CVD SiC

Semicorex CVD SiC Coated Barrel Susceptor ialah komponen yang direka bentuk dengan teliti yang disesuaikan untuk proses pembuatan semikonduktor termaju, terutamanya epitaksi. Dibina dengan ketepatan dan inovasi, Susceptor Barrel Bersalut CVD SiC ini direka untuk memudahkan pertumbuhan epitaxial bahan semikonduktor pada wafer dengan kecekapan dan kebolehpercayaan yang tiada tandingan.

Pada teras Susceptor Barrel Bersalut CVD SiC terletak struktur grafit yang teguh, terkenal dengan kekonduksian terma yang luar biasa dan kekuatan mekanikal. Pangkalan grafit ini berfungsi sebagai asas yang kukuh untuk susceptor, memastikan kestabilan dan umur panjang di bawah keadaan mendesak reaktor epitaxial.

Mempertingkatkan substrat grafit ialah salutan termaju bagi Pemendapan Wap Kimia (CVD) silikon karbida (SiC). Salutan SiC khusus ini digunakan dengan teliti melalui proses pemendapan wap kimia, menghasilkan lapisan seragam dan tahan lama yang menyelimuti permukaan grafit. Salutan SiC CVD bagi Susceptor Barrel Bersalut CVD SiC memperkenalkan pelbagai kelebihan yang penting untuk proses epitaxial.

Salutan SiC CVD bagi Susceptor Barel Bersalut CVD SiC mempamerkan sifat terma yang luar biasa, termasuk kekonduksian terma yang tinggi dan kestabilan terma. Sifat-sifat ini memainkan peranan penting dalam memastikan pemanasan seragam dan tepat wafer semikonduktor semasa pertumbuhan epitaxial, dengan itu menggalakkan pemendapan lapisan yang konsisten dan meminimumkan kecacatan pada produk akhir.

Reka bentuk berbentuk tong bagi CVD SiC Coated Barrel Susceptor dioptimumkan untuk pemuatan dan pemunggahan wafer yang cekap, serta pengagihan haba optimum merentasi permukaan wafer. Ciri reka bentuk ini, ditambah dengan prestasi unggul salutan SiC CVD, menjamin kawalan proses yang tiada tandingan dan hasil dalam operasi pembuatan epitaxial.