Rumah > Produk > Bersalut Silikon Karbida > Epitaksi SiC > Pembawa Wafer Epitaxy
Pembawa Wafer Epitaxy

Pembawa Wafer Epitaxy

Pembawa Wafer Epitaxy Semicorex menyediakan penyelesaian yang sangat dipercayai untuk aplikasi Epitaxy. Bahan termaju dan teknologi salutan memastikan pembawa ini memberikan prestasi cemerlang, mengurangkan kos operasi dan masa henti akibat penyelenggaraan atau penggantian.**

Hantar Pertanyaan

Penerangan Produk

Applications:Pembawa Wafer Epitaxy, yang dibangunkan oleh Semicorex, direka khusus untuk digunakan dalam pelbagai proses pembuatan semikonduktor termaju. Pembawa ini sangat sesuai untuk persekitaran seperti:


Pemendapan Wap Kimia Dipertingkat Plasma (PECVD):Dalam proses PECVD, Pembawa Wafer Epitaxy adalah penting untuk mengendalikan substrat semasa proses pemendapan filem nipis, memastikan kualiti dan keseragaman yang konsisten.


Silikon dan SiC Epitaxy:Untuk aplikasi epitaksi silikon dan SiC, di mana lapisan nipis didepositkan pada substrat untuk membentuk struktur kristal berkualiti tinggi, Pembawa Wafer Epitaxy mengekalkan kestabilan di bawah keadaan terma yang melampau.


Unit Pemendapan Wap Kimia Logam-Organik (MOCVD):Digunakan untuk fabrikasi peranti semikonduktor kompaun seperti LED dan elektronik kuasa, unit MOCVD memerlukan pembawa yang boleh mengekalkan suhu tinggi dan persekitaran kimia yang agresif yang wujud dalam proses tersebut.



Kelebihan:


Prestasi Stabil dan Seragam pada Suhu Tinggi:

Gabungan salutan grafit isotropik dan silikon karbida (SiC) memberikan kestabilan terma yang luar biasa dan keseragaman pada suhu tinggi. Grafit isotropik menawarkan sifat yang konsisten dalam semua arah, yang penting untuk memastikan prestasi yang boleh dipercayai dalam Pembawa Wafer Epitaxy yang digunakan di bawah tekanan haba. Salutan SiC menyumbang kepada mengekalkan pengedaran terma yang seragam, mencegah titik panas, dan memastikan pembawa berfungsi dengan pasti dalam tempoh yang panjang.


Rintangan Kakisan yang Dipertingkatkan dan Jangka Hayat Komponen Dilanjutkan:

Salutan SiC, dengan struktur kristal padunya, menghasilkan lapisan salutan berketumpatan tinggi. Struktur ini meningkatkan dengan ketara ketahanan Pembawa Wafer Epitaxy terhadap gas dan bahan kimia yang menghakis yang biasanya ditemui dalam proses PECVD, epitaksi dan MOCVD. Salutan SiC padat melindungi substrat grafit yang mendasari daripada degradasi, dengan itu memanjangkan hayat perkhidmatan pembawa dan mengurangkan kekerapan penggantian.


Ketebalan dan Liputan Salutan Optimum:

Semicorex menggunakan teknologi salutan yang memastikan ketebalan salutan SiC standard 80 hingga 100 µm. Ketebalan ini adalah optimum untuk mencapai keseimbangan antara perlindungan mekanikal dan kekonduksian terma. Teknologi ini memastikan semua kawasan terdedah, termasuk yang mempunyai geometri kompleks, disalut secara seragam, mengekalkan lapisan pelindung yang padat dan berterusan walaupun dalam ciri-ciri kecil dan rumit.


Lekatan Unggul dan Perlindungan Kakisan:

Dengan menyusup ke lapisan atas grafit dengan salutan SiC, Pembawa Wafer Epitaxy mencapai lekatan yang luar biasa antara substrat dan salutan. Kaedah ini bukan sahaja memastikan salutan kekal utuh di bawah tekanan mekanikal tetapi juga meningkatkan perlindungan kakisan. Lapisan SiC yang terikat rapat bertindak sebagai penghalang, menghalang gas reaktif dan bahan kimia daripada mencapai teras grafit, sekali gus mengekalkan integriti struktur pembawa terhadap pendedahan berpanjangan kepada keadaan pemprosesan yang keras.


Keupayaan untuk Melapisi Geometri Kompleks:

Teknologi salutan termaju yang digunakan oleh Semicorex membolehkan penggunaan seragam salutan SiC pada geometri kompleks, seperti lubang buta kecil dengan diameter sekecil 1 mm dan kedalaman melebihi 5 mm. Keupayaan ini penting untuk memastikan perlindungan komprehensif Pembawa Wafer Epitaxy, walaupun di kawasan yang secara tradisinya mencabar untuk disalut, dengan itu menghalang kakisan dan degradasi setempat.


Antara Muka Salutan SiC Ketulenan Tinggi dan Jelas:

Untuk memproses wafer yang diperbuat daripada silikon, nilam, silikon karbida (SiC), galium nitrida (GaN), dan bahan lain, ketulenan tinggi antara muka salutan SiC adalah kelebihan utama. Salutan ketulenan tinggi Pembawa Wafer Epitaxy ini menghalang pencemaran dan mengekalkan integriti wafer semasa pemprosesan suhu tinggi. Antara muka yang ditakrifkan dengan baik memastikan kekonduksian terma dimaksimumkan, membolehkan pemindahan haba yang cekap melalui salutan tanpa sebarang halangan haba yang ketara.


Berfungsi sebagai Penghalang Resapan:

Salutan SiC bagi Pembawa Wafer Epitaxy juga berfungsi sebagai penghalang resapan yang berkesan. Ia menghalang penyerapan dan desorpsi kekotoran daripada bahan grafit asas, dengan itu mengekalkan persekitaran pemprosesan yang bersih. Ini amat penting dalam pembuatan semikonduktor, di mana paras kekotoran walaupun sedikit boleh memberi kesan ketara kepada ciri elektrik produk akhir.



Spesifikasi Utama Salutan SIC CVD
Hartanah
Unit
Nilai
Struktur
fasa FCC β
Ketumpatan
g/cm ³
3.21
Kekerasan
Kekerasan Vickers
2500
Saiz Bijirin
μm
2~10
Ketulenan Kimia
%
99.99995
Kapasiti Haba
J kg-1 K-1
640
Suhu Sublimasi

2700
Kekuatan Feleksural
MPa (RT 4 mata)
415
Modulus Muda
Gpa (4pt selekoh, 1300℃)
430
Pengembangan Terma (C.T.E)
10-6K-1
4.5
Kekonduksian Terma
(W/mK)
300




Teg Panas: Pembawa Wafer Epitaxy, China, Pengilang, Pembekal, Kilang, Disesuaikan, Pukal, Lanjutan, Tahan Lama
Kategori Berkaitan
Hantar Pertanyaan
Sila berasa bebas untuk memberikan pertanyaan anda dalam borang di bawah. Kami akan membalas anda dalam masa 24 jam.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept