Reseptor Epitaksi MOCVD

Semicorex MOCVD Epitaxy Susceptor telah muncul sebagai komponen kritikal dalam epitaksi Metal-Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD), yang membolehkan fabrikasi peranti semikonduktor berprestasi tinggi dengan kecekapan dan ketepatan yang luar biasa. Gabungan unik sifat bahan menjadikannya sangat sesuai untuk persekitaran terma dan kimia yang menuntut yang dihadapi semasa pertumbuhan epitaxial semikonduktor kompaun.**

Hantar Pertanyaan

Penerangan Produk

Kelebihan untuk Aplikasi Epitaksi Menuntut:

Ketulenan Ultra Tinggi:The MOCVD Epitaxy Susceptor direka untuk mencapai tahap ketulenan ultra tinggi, meminimumkan risiko kekotoran yang tidak diingini diserap ke dalam lapisan epitaxial yang semakin meningkat. Ketulenan luar biasa ini adalah penting untuk mengekalkan mobiliti pembawa yang tinggi, mencapai profil doping yang optimum, dan akhirnya, merealisasikan peranti semikonduktor berprestasi tinggi.

Rintangan Kejutan Terma Luar Biasa:Susceptor Epitaxy MOCVD mempersembahkan rintangan yang luar biasa kepada kejutan haba, menahan perubahan suhu yang cepat dan kecerunan yang wujud dalam proses MOCVD. Kestabilan ini memastikan prestasi yang konsisten dan boleh dipercayai semasa fasa pemanasan dan penyejukan kritikal, meminimumkan risiko tunduk wafer, kecacatan akibat tekanan dan gangguan proses.

Rintangan Kimia Unggul:Susceptor Epitaxy MOCVD menunjukkan ketahanan yang luar biasa terhadap pelbagai jenis gas reaktif dan bahan kimia yang digunakan dalam MOCVD, termasuk produk sampingan menghakis yang boleh terbentuk pada suhu tinggi. Lengai ini menghalang pencemaran lapisan epitaxial dan memastikan ketulenan bahan semikonduktor termendap, kritikal untuk mencapai sifat elektrik dan optik yang diingini.

Ketersediaan dalam Lengkapx Bentuk: Susceptor Epitaxy MOCVD boleh dimesin dengan tepat ke dalam bentuk dan geometri yang kompleks untuk mengoptimumkan dinamik aliran gas dan keseragaman suhu dalam reaktor MOCVD. Keupayaan reka bentuk tersuai ini membolehkan pemanasan seragam wafer substrat, meminimumkan variasi suhu yang boleh membawa kepada pertumbuhan epitaxial yang tidak konsisten dan prestasi peranti.