Reseptor SiC ALD

Semicorex SiC ALD Susceptor menawarkan banyak kelebihan dalam proses ALD, termasuk kestabilan suhu tinggi, keseragaman dan kualiti filem yang dipertingkatkan, kecekapan proses yang lebih baik dan jangka hayat susceptor yang dilanjutkan. Faedah ini menjadikan SiC ALD Susceptor sebagai alat yang berharga untuk mencapai filem nipis berprestasi tinggi dalam pelbagai aplikasi yang mencabar.**

Hantar Pertanyaan

Penerangan Produk

Faedah SemicorexReseptor SiC ALD:

Kestabilan suhu tinggi:Reseptor SiC ALD mengekalkan integriti strukturnya pada suhu tinggi (sehingga 1600°C), membolehkan proses ALD suhu tinggi yang menghasilkan filem lebih padat dengan sifat elektrik yang dipertingkatkan.

Kelalaian kimia:Reseptor SiC ALD mempamerkan ketahanan yang sangat baik terhadap pelbagai bahan kimia dan prekursor yang digunakan dalam ALD, meminimumkan risiko pencemaran dan memastikan kualiti filem yang konsisten.

Pengagihan suhu seragam:Kekonduksian terma yang tinggi bagi SiC ALD Susceptor menggalakkan pengagihan suhu seragam merentasi permukaan susceptor, yang membawa kepada pemendapan filem seragam dan prestasi peranti yang lebih baik.

Gas Keluar Rendah:SiC mempunyai sifat mengeluarkan gas yang rendah, bermakna ia membebaskan kekotoran minimum pada suhu tinggi. Ini penting untuk mengekalkan persekitaran pemprosesan yang bersih dan mencegah pencemaran filem yang didepositkan.

Rintangan Plasma:SiC menunjukkan ketahanan yang baik terhadap etsa plasma, menjadikannya serasi dengan proses ALD (PEALD) yang dipertingkatkan plasma.

Jangka hayat yang panjang:Ketahanan dan ketahanan SiC ALD Susceptor terhadap haus dan lusuh diterjemahkan kepada jangka hayat yang lebih lama untuk susceptor, mengurangkan keperluan untuk penggantian yang kerap dan mengurangkan kos operasi keseluruhan.

Perbandingan ALD dan CVD:

Pemendapan Lapisan Atom (ALD) dan Pemendapan Wap Kimia (CVD) ialah kedua-dua teknik pemendapan filem nipis yang digunakan secara meluas dengan ciri yang berbeza. Memahami perbezaan mereka adalah penting untuk memilih kaedah yang paling sesuai untuk aplikasi tertentu.

ALD lwn CVD

Kelebihan Utama ALD:

Kawalan Ketebalan dan Keseragaman Luar Biasa:Sesuai untuk aplikasi yang memerlukan ketepatan tahap atom dan salutan konform pada geometri kompleks.

Pemprosesan Suhu Rendah:Membolehkan pemendapan pada substrat sensitif suhu dan pemilihan bahan yang lebih luas.

Kualiti Filem Tinggi:Menghasilkan filem padat tanpa lubang jarum dengan kekotoran rendah.

Kelebihan Utama CVD:

Kadar Pemendapan Lebih Tinggi:Sesuai untuk aplikasi yang memerlukan kadar pemendapan yang lebih cepat dan filem yang lebih tebal.

Kos Rendah:Lebih menjimatkan kos untuk pemendapan kawasan besar dan aplikasi yang kurang menuntut.

serba boleh:Boleh mendepositkan pelbagai jenis bahan, termasuk logam, semikonduktor dan penebat.