> Produk > Bersalut Silikon Karbida > Penerima tong > Susceptor Tong Bersalut SiC untuk Pertumbuhan Epitaxial LPE

Produk

produk baru

Susceptor Tong Bersalut SiC untuk Pertumbuhan Epitaxial LPE

Semicorex SiC Coated Barrel Susceptor untuk LPE Epitaxial Growth ialah produk berprestasi tinggi yang direka untuk memberikan prestasi yang konsisten dan boleh dipercayai dalam tempoh yang panjang. Profil termanya yang sekata, corak aliran gas lamina dan pencegahan pencemaran menjadikannya pilihan ideal untuk pertumbuhan lapisan epitaxial berkualiti tinggi pada cip wafer. Kebolehsesuaian dan keberkesanan kos menjadikannya produk yang sangat kompetitif di pasaran.

Hantar Pertanyaan

Penerangan Produk

Susceptor Barrel Bersalut SiC kami untuk Pertumbuhan Epitaxial LPE ialah produk berkualiti tinggi dan boleh dipercayai yang memberikan nilai wang yang sangat baik. Rintangan pengoksidaan suhu tinggi, malah profil terma, dan pencegahan pencemaran menjadikannya pilihan ideal untuk pertumbuhan lapisan epitaxial berkualiti tinggi pada cip wafer. Keperluan penyelenggaraan yang rendah dan kebolehsesuaian menjadikannya produk yang sangat kompetitif di pasaran.

Hubungi kami hari ini untuk mengetahui lebih lanjut tentang Susceptor Barrel Bersalut SiC kami untuk Pertumbuhan Epitaxial LPE.

Parameter Susceptor Tong Bersalut SiC untuk Pertumbuhan Epitaxial LPE

Spesifikasi Utama Salutan CVD-SIC
Sifat SiC-CVD
Struktur Kristal	fasa FCC β
Ketumpatan	g/cm ³	3.21
Kekerasan	Kekerasan Vickers	2500
Saiz Bijirin	μm	2~10
Ketulenan Kimia	%	99.99995
Kapasiti Haba	J kg-1 K-1	640
Suhu Sublimasi	℃	2700
Kekuatan Feleksural	MPa (RT 4 mata)	415
Modulus Muda	Gpa (4pt selekoh, 1300℃)	430
Pengembangan Terma (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Kekonduksian terma	(W/mK)	300

Ciri-ciri Susceptor Tong Bersalut SiC untuk Pertumbuhan Epitaxial LPE

- Kedua-dua substrat grafit dan lapisan silikon karbida mempunyai ketumpatan yang baik dan boleh memainkan peranan perlindungan yang baik dalam suhu tinggi dan persekitaran kerja yang menghakis.

- Suseptor bersalut silikon karbida yang digunakan untuk pertumbuhan kristal tunggal mempunyai kerataan permukaan yang sangat tinggi.

- Mengurangkan perbezaan dalam pekali pengembangan haba antara substrat grafit dan lapisan silikon karbida, meningkatkan kekuatan ikatan secara berkesan untuk mengelakkan keretakan dan penyimpangan.

- Kedua-dua substrat grafit dan lapisan silikon karbida mempunyai kekonduksian terma yang tinggi, dan sifat pengagihan haba yang sangat baik.

- Takat lebur tinggi, rintangan pengoksidaan suhu tinggi, rintangan kakisan.