Rumah > Produk > Bersalut Silikon Karbida > Penerima tong > Susceptor Tong Bersalut SiC
Susceptor Tong Bersalut SiC

Susceptor Tong Bersalut SiC

Dengan takat lebur yang tinggi, rintangan pengoksidaan dan rintangan kakisan, Susceptor Barrel Bersalut Semicorex SiC ialah pilihan yang tepat untuk digunakan dalam aplikasi pertumbuhan kristal tunggal. Salutan silikon karbidanya memberikan sifat kerataan dan pengagihan haba yang luar biasa, memastikan prestasi yang boleh dipercayai dan konsisten walaupun dalam persekitaran suhu tinggi yang paling mencabar.

Hantar Pertanyaan

Penerangan Produk

Semicorex SiC-Coated Barrel Susceptor ialah produk grafit berkualiti tinggi yang disalut dengan SiC ketulenan tinggi, direka khusus untuk proses LPE dan aplikasi pembuatan semikonduktor lain. Ketumpatan dan kekonduksian terma yang luar biasa memberikan pengagihan dan perlindungan haba yang unggul dalam persekitaran suhu tinggi dan menghakis.
Di Semicorex, kami menumpukan pada penyediaan Susceptor Barrel Bersalut SiC berkualiti tinggi dan kos efektif, kami mengutamakan kepuasan pelanggan dan menyediakan penyelesaian yang menjimatkan kos. Kami berharap untuk menjadi rakan kongsi jangka panjang anda, menyampaikan produk berkualiti tinggi dan perkhidmatan pelanggan yang luar biasa.


Parameter Susceptor Tong Bersalut SiC

Spesifikasi Utama Salutan CVD-SIC

Sifat SiC-CVD

Struktur Kristal

fasa FCC β

Ketumpatan

g/cm ³

3.21

Kekerasan

Kekerasan Vickers

2500

Saiz Bijirin

μm

2~10

Ketulenan Kimia

%

99.99995

Kapasiti Haba

J kg-1 K-1

640

Suhu Sublimasi

2700

Kekuatan Feleksural

MPa (RT 4 mata)

415

Modulus Muda

Gpa (4pt selekoh, 1300℃)

430

Pengembangan Terma (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Kekonduksian terma

(W/mK)

300


Ciri-ciri Susceptor Tong Bersalut SiC

- Kedua-dua substrat grafit dan lapisan silikon karbida mempunyai ketumpatan yang baik dan boleh memainkan peranan perlindungan yang baik dalam suhu tinggi dan persekitaran kerja yang menghakis.

- Suseptor bersalut silikon karbida yang digunakan untuk pertumbuhan kristal tunggal mempunyai kerataan permukaan yang sangat tinggi.

- Mengurangkan perbezaan dalam pekali pengembangan haba antara substrat grafit dan lapisan silikon karbida, meningkatkan kekuatan ikatan secara berkesan untuk mengelakkan keretakan dan penyimpangan.

- Kedua-dua substrat grafit dan lapisan silikon karbida mempunyai kekonduksian terma yang tinggi, dan sifat pengagihan haba yang sangat baik.

- Takat lebur tinggi, rintangan pengoksidaan suhu tinggi, rintangan kakisan.




Teg Panas: Susceptor Tong Bersalut SiC, China, Pengilang, Pembekal, Kilang, Disesuaikan, Pukal, Lanjutan, Tahan Lama
Kategori Berkaitan
Hantar Pertanyaan
Sila berasa bebas untuk memberikan pertanyaan anda dalam borang di bawah. Kami akan membalas anda dalam masa 24 jam.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept