Suseptor Epitaxial Bersalut SiC

Susceptor epitaxial bersalut Semicorex SiC ialah komponen penting yang digunakan dalam proses pertumbuhan epitaxial semikonduktor untuk menyokong dan membetulkan wafer semikonduktor secara stabil. Dengan memanfaatkan keupayaan pembuatan matang dan teknologi pengeluaran terkini, Semicorex komited untuk membekalkan susceptor epitaxial bersalut SiC yang berkualiti dan harga yang kompetitif untuk pelanggan kami yang dihargai.

Hantar Pertanyaan

Penerangan Produk

Semikonduktorsubstrattidak boleh diletakkan terus pada tapak dalam peralatan MOCVD atau CVD semasa pemendapan epitaxial kerana kesan pelbagai faktor kritikal, termasuk arah aliran gas (mendatar dan menegak), suhu, tekanan, penetapan substrat dan pencemaran zarah. Atas sebab ini, susceptor epitaxial dikehendaki diletakkan di tengah ruang tindak balas dalam sistem MOCVD/CVD untuk menyokong dan mengamankan substrat semikonduktor, dengan itu menghalang kemerosotan kualiti pertumbuhan epitaxial yang disebabkan oleh getaran atau anjakan kedudukan.

Grafit ketulenan tinggi digunakan sebagai bahan matriks untuk SemicorexSuseptor epitaxial bersalut SiC, dengan salutan silikon karbida didepositkan pada permukaannya dengan teknik CVD termaju. Susceptor epitaxial bersalut Semicorex SiC adalah komponen yang sangat diperlukan dalam proses pembentukan lapisan epitaxial. Peranan utama mereka adalah untuk menyediakan persekitaran operasi yang stabil dan terkawal untuk pertumbuhan lapisan epitaxial pada substrat semikonduktor, yang dengan itu dapat memastikan konsistensi kualiti permukaan wafer.

Ciri-ciri suseptor epitaxial bersalut Semicorex SiC

1. Rintangan suhu tinggi yang luar biasa untuk menahan keadaan operasi 1600℃.

2. Kekonduksian terma yang tinggi, menyampaikan pemindahan haba yang pantas untuk mengekalkan pengedaran suhu seragam pada substrat semikonduktor.

3. Rintangan kakisan kimia yang kuat untuk menahan degradasi kimia dan kakisan, mengelakkan pencemaran proses substrat dan lapisan epitaxial.

4. Rintangan kejutan haba yang unggul untuk mengelakkan berlakunya keretakan salutan dan delaminasi.

5. Kerataan permukaan yang luar biasa, sesuai dengan substrat yang meminimumkan jurang dan kecacatan.

6. hayat perkhidmatan yang lebih lama, mengurangkan masa dan kerugian ekonomi yang disebabkan oleh penggantian dan penyelenggaraan bahagian.

Aplikasi suseptor epitaxial bersalut Semicorex SiC

Dengan pelbagai kelebihan yang sangat baik, susceptor epitaxial bersalut Semicorex SiC memainkan peranan penting dalam memudahkan pertumbuhan seragam dan boleh dikawal bagi filem nipis epitaxial dan digunakan secara meluas dalam proses pertumbuhan epitaxial semikonduktor.

1. Pertumbuhan epitaxial GaN

2. Pertumbuhan epitaxial SiC

3.Si pertumbuhan epitaxial