Terdapat ciri-ciri luas Cakera Epitaksi Bersalut Semicorex SiC yang menjadikannya komponen yang amat diperlukan dalam pembuatan semikonduktor, di mana ketepatan, ketahanan dan keteguhan peralatan adalah yang terpenting untuk kejayaan peranti semikonduktor berteknologi tinggi. Kami di Semicorex berdedikasi untuk mengeluarkan dan membekalkan Cakera Epitaksi Bersalut SiC berprestasi tinggi yang menggabungkan kualiti dengan kecekapan kos.**
Cakera Epitaksi Bersalut Semicorex SiC menampilkan pelbagai kelebihan yang tiada tandingan dalam industri semikonduktor, yang boleh dihuraikan dengan lebih lanjut seperti berikut:
Pekali Pengembangan Terma Rendah: Cakera Epitaksi Bersalut SiC mempunyai pekali pengembangan terma yang sangat rendah, yang penting dalam pemprosesan semikonduktor di mana kestabilan dimensi adalah penting. Atribut ini memastikan bahawa Cakera Epitaksi Bersalut SiC mengalami pengembangan atau pengecutan minimum di bawah variasi suhu, mengekalkan integriti struktur semikonduktor semasa proses suhu tinggi.
Rintangan Pengoksidaan Suhu Tinggi: Kejuruteraan dengan rintangan pengoksidaan yang luar biasa, Cakera Epitaksi Bersalut SiC ini mengekalkan integriti strukturnya pada suhu tinggi, menjadikannya komponen ideal untuk aplikasi dalam proses semikonduktor suhu tinggi di mana kestabilan haba adalah penting.
Permukaan Padat dan Berliang Halus: Permukaan Cakera Epitaksi Bersalut SiC dicirikan oleh ketumpatan dan keliangan halusnya, yang memberikan tekstur permukaan yang optimum untuk melekatkan pelbagai lapisan dan memastikan penyingkiran bahan yang berkesan semasa pemprosesan wafer semikonduktor tanpa merosakkan permukaan halus.
Kekerasan Tinggi: Salutan memberikan tahap kekerasan yang tinggi kepada cakera grafit, yang tahan calar dan haus, sekali gus memanjangkan hayat perkhidmatan Cakera Epitaksi Bersalut SiC dan mengurangkan kekerapan penggantian dalam persekitaran pembuatan semikonduktor.
Rintangan kepada Asid, Bes, Garam dan Reagen Organik: Salutan SiC CVD Cakera Epitaxy Bersalut SiC menawarkan rintangan yang sangat baik terhadap pelbagai agen menghakis, termasuk asid, bes, garam dan reagen organik, menjadikannya sesuai untuk digunakan dalam persekitaran di mana pendedahan bahan kimia adalah kebimbangan, dengan itu meningkatkan kebolehpercayaan dan jangka hayat peralatan.
Lapisan Permukaan Beta-SiC: Lapisan permukaan SIC (Silicon Carbide) Cakera Epitaksi Bersalut SiC terdiri daripada beta-SiC, yang mempunyai struktur kristal kubik berpusat muka (FCC). Struktur kristal ini menyumbang kepada sifat mekanikal dan haba yang luar biasa salutan, menawarkan kekuatan unggul dan kekonduksian terma pada cakera, yang penting untuk peralatan pemprosesan semikonduktor.