Dulang Grafit Bersalut SiC

Sebagai komponen utama peralatan epitaxial, yangdulang grafit bersalut SiC, secara langsung mempengaruhi kecekapan pengeluaran, keseragaman, dan kadar kecacatan pertumbuhan lapisan epitaxial.    

Melalui penulenan grafit, pemprosesan ketepatan dan rawatan pembersihan, permukaan substrat grafit boleh mencapai kerataan dan kelancaran yang sangat baik, berjaya mengelakkan risiko pencemaran zarah. Melalui pemendapan wap kimia, permukaan substrat grafit mengalami tindak balas kimia dengan gas reaktif, menghasilkan salutan silikon karbida (SiC) yang padat, bebas liang dan tebal seragam. Daripada penyediaan substrat kepada rawatan salutan, keseluruhan proses pengeluaran dijalankan dalam bilik bersih Kelas 100, yang memenuhi piawaian kebersihan yang sesuai untuk semikonduktor.

Dulang grafit bersalut SiC yang diperbuat daripada grafit kekotoran rendah ketulenan tinggi dan bahan SiC, mempunyai kekonduksian terma yang sangat baik dan pekali pengembangan haba yang rendah. Ia bukan sahaja membolehkan dulang grafit bersalut SiC untuk memindahkan haba dengan pantas dan seragam untuk meningkatkan kualiti pertumbuhan lapisan epitaxial, tetapi juga berkesan mengurangkan risiko penumpahan salutan atau retak akibat tekanan haba. Di samping itu, salutan SiC yang seragam dan padat adalah tahan terhadap suhu tinggi, pengoksidaan dan kakisan, memastikan operasi yang stabil untuk masa yang lama di bawah suhu tinggi dan keadaan gas yang menghakis.

Dulang grafit bersalut SiC mempunyai keserasian yang lebih tinggi dengan peralatan pemendapan wap kimia logam-organik (MOCVD). Ia telah bersaiz teliti dan direka bentuk untuk menyesuaikan diri dengan parameter proses dan keperluan peralatan yang berbeza. Semicorex sentiasa berkeras untuk menawarkan perkhidmatan disesuaikan profesional kepada pelanggan kami yang dihargai untuk memenuhi keperluan mereka dengan tepat untuk saiz yang berbeza, ketebalan salutan dan kekasaran permukaan dulang grafit bersalut SiC.