Plat Penerima

Plat Susceptor Semicorex ialah komponen penting dalam proses pertumbuhan epitaxial, direka khusus untuk membawa wafer semikonduktor semasa pemendapan filem atau lapisan nipis. Dalam konteks Pemendapan Wap Kimia Logam-Organik (MOCVD), plat ini direka khas daripada bahan yang boleh menahan suhu tinggi dan menyediakan permukaan yang stabil untuk pertumbuhan lapisan epitaxial.

Plat Susceptor yang digunakan dalam proses ini dibina daripada grafit yang disalut dengan silikon karbida (SiC) melalui proses MOCVD itu sendiri. Silikon karbida menawarkan kestabilan terma yang luar biasa, kekuatan mekanikal, dan ketahanan terhadap tindak balas kimia, menjadikannya pilihan yang ideal untuk keadaan pertumbuhan epitaxial yang menuntut.

Semasa MOCVD, Plat Susceptor memainkan peranan penting dengan memindahkan haba secara berkesan ke wafer semikonduktor. Plat menyerap tenaga daripada persekitaran sekeliling dan memancarkannya ke arah wafer, memudahkan pemendapan terkawal filem nipis ke permukaan wafer. Kawalan suhu yang tepat ini penting untuk mencapai lapisan epitaxial yang seragam dan berkualiti tinggi, yang penting dalam penghasilan peranti semikonduktor termaju.

Plat Susceptor dalam proses MOCVD, yang terdiri daripada grafit bersalut SiC, berfungsi sebagai platform yang boleh dipercayai untuk menyokong wafer semikonduktor, memastikan pemindahan haba optimum, dan menyumbang kepada pertumbuhan epitaxial yang berjaya bagi filem nipis dengan ciri yang dikehendaki untuk aplikasi semikonduktor.