Pembawa Wafer untuk MOCVD

Pembawa Wafer Semicorex untuk MOCVD, Dicipta untuk keperluan tepat Pemendapan Wap Kimia Organik Logam (MOCVD), muncul sebagai alat yang sangat diperlukan dalam pemprosesan Si atau SiC kristal tunggal untuk litar bersepadu berskala tinggi. Pembawa Wafer untuk komposisi MOCVD menawarkan ketulenan yang tiada tandingan, ketahanan terhadap suhu tinggi dan persekitaran yang menghakis, dan sifat pengedap yang unggul untuk mengekalkan suasana yang murni. Kami di Semicorex berdedikasi untuk mengeluarkan dan membekalkan Pembawa Wafer berprestasi tinggi untuk MOCVD yang menggabungkan kualiti dengan kecekapan kos.

Hantar Pertanyaan

Penerangan Produk

Pembawa Wafer Semicorex untuk reka bentuk lanjutan MOCVD untuk aplikasi MOCVD bertindak sebagai asas yang selamat, direka bentuk dengan mahir untuk membuai wafer semikonduktor. Ia menawarkan reka bentuk yang dioptimumkan yang memastikan cengkaman ketat pada wafer di samping memudahkan pengagihan gas yang optimum untuk lapisan bahan yang seragam. Dipertingkatkan dengan salutan Silikon Karbida (SiC) melalui Pemendapan Wap Kimia (CVD), Pembawa Wafer untuk MOCVD menggabungkan daya tahan grafit dengan sifat CVD SiC yang menahan suhu tinggi, mempunyai pekali pengembangan haba yang boleh diabaikan, dan menggalakkan penyebaran haba yang sama. Keseimbangan ini penting dalam memelihara integriti suhu permukaan wafer.

Mempunyai ciri-ciri seperti perencatan kakisan, ketahanan kimia, dan seterusnya jangka hayat operasi yang dilanjutkan, Pembawa Wafer untuk MOCVD dengan ketara meningkatkan kedua-dua kaliber dan hasil wafer. Ketahanannya memberikan manfaat ekonomi langsung, meletakkan Pembawa Wafer untuk MOCVD sebagai pilihan perolehan yang bijak untuk operasi pengeluaran semikonduktor anda.

Disesuaikan dengan teliti untuk prosedur epitaxial wafer, Pembawa Wafer Semicorex untuk MOCVD cemerlang dalam pengangkutan wafer yang selamat dalam relau suhu tinggi. Rangka kerjanya yang tahan lama memastikan wafer kekal utuh, dengan itu mengurangkan kecenderungan untuk kerosakan semasa peringkat pertumbuhan epitaxial kritikal.**