Pemanas Proses Wafer

Pemanas Proses Wafer Semicorex dibuat oleh Silicon Carbide Coating (SiC) grafit, salutan digunakan oleh kaedah CVD untuk gred tertentu grafit berketumpatan tinggi, jadi ia boleh beroperasi dalam relau suhu tinggi dengan lebih 3000 °C dalam suasana lengai, 2200°C dalam vakum.
Ciri khas dan jisim rendah bahan Pemanas Proses Wafer membolehkan kadar pemanasan pantas, pengagihan suhu seragam dan ketepatan yang luar biasa dalam kawalan. Berbanding dengan bahan lain, permukaan Silicon Carbide kekal rata kerana pengembangan habanya yang rendah walaupun dikendalikan dengan perubahan suhu yang cepat. Plat panas sangat sesuai untuk menuntut proses dalam sistem pemprosesan semikonduktor.
Di Semicorex, kami memberi tumpuan kepada menyediakan produk berkualiti tinggi dan kos efektif kepada pelanggan kami. Pemanas Proses Wafer kami mempunyai kelebihan harga dan dieksport ke banyak pasaran Eropah dan Amerika. Kami menyasarkan untuk menjadi rakan kongsi jangka panjang anda, menyampaikan produk berkualiti yang konsisten dan perkhidmatan pelanggan yang luar biasa.

Parameter Pemanas Proses Wafer

Ciri-ciri Pemanas Proses Wafer

- Salutan SiC CVD untuk meningkatkan hayat perkhidmatan.
- Rintangan suhu tinggi, rintangan kakisan, hayat perkhidmatan yang panjang, boleh meningkatkan kualiti dan hasil wafer.
- Ia mempunyai pekali pengembangan terma yang sangat rendah, rintangan suhu tinggi, rintangan haus yang tinggi, penebat yang baik, kestabilan kimia yang baik, dan penembusan cahaya kelihatan hampir ungu (merah).

Kami boleh menyediakan bekas grafit anti-pengoksidaan dan jangka hayat yang panjang, acuan grafit dan semua bahagian pemanas grafit.