> Produk > Seramik > Silikon Karbida (SiC) > Cincin Fokus Tahan Lama untuk Pemprosesan Semikonduktor

Produk

produk baru

Cincin Fokus Tahan Lama untuk Pemprosesan Semikonduktor

Cincin fokus tahan lama semicorex untuk pemprosesan semikonduktor direka bentuk untuk menahan persekitaran melampau ruang goresan plasma yang digunakan dalam pemprosesan semikonduktor. Cincin fokus kami diperbuat daripada grafit ketulenan tinggi yang disalut dengan salutan silikon karbida (SiC) yang padat dan tahan haus. Salutan SiC mempunyai sifat rintangan kakisan dan haba yang tinggi, serta kekonduksian terma yang sangat baik. Kami menggunakan SiC dalam lapisan nipis pada grafit menggunakan proses pemendapan wap kimia (CVD) untuk meningkatkan hayat perkhidmatan cincin fokus kami.

Hantar Pertanyaan

Penerangan Produk

Cincin fokus tahan lama kami untuk pemprosesan semikonduktor direka untuk meningkatkan keseragaman goresan di sekeliling tepi wafer atau perimeter, meminimumkan pencemaran dan penyelenggaraan tidak berjadual. Ia sangat stabil untuk penyepuhlindapan terma pantas (RTA), pemprosesan terma pesat (RTP) dan pembersihan kimia yang keras.

Di Semicorex, kami menumpukan pada penyediaan cincin fokus tahan lama berkualiti tinggi dan kos efektif untuk pemprosesan semikonduktor, kami mengutamakan kepuasan pelanggan dan menyediakan penyelesaian yang menjimatkan kos. Kami berharap untuk menjadi rakan kongsi jangka panjang anda, menyampaikan produk berkualiti tinggi dan perkhidmatan pelanggan yang luar biasa.

Hubungi kami hari ini untuk mengetahui lebih lanjut tentang cincin fokus tahan lama kami untuk pemprosesan semikonduktor.

Parameter Cincin fokus tahan lama untuk pemprosesan semikonduktor

Spesifikasi Utama Salutan CVD-SIC
Sifat SiC-CVD
Struktur Kristal	fasa FCC β
Ketumpatan	g/cm ³	3.21
Kekerasan	Kekerasan Vickers	2500
Saiz Bijirin	μm	2~10
Ketulenan Kimia	%	99.99995
Kapasiti Haba	J kg-1 K-1	640
Suhu Sublimasi	℃	2700
Kekuatan Feleksural	MPa (RT 4 mata)	415
Modulus Muda	Gpa (4pt selekoh, 1300℃)	430
Pengembangan Terma (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Kekonduksian terma	(W/mK)	300