Grafit Bersalut Karbon Silikon ICP

Pembawa wafer yang digunakan dalam pemprosesan pertumbuhan epitaxial mesti menahan suhu tinggi dan pembersihan kimia yang keras. Susceptor Grafit Bersalut Karbon Silikon Semicorex ICP direka bentuk khusus untuk aplikasi peralatan epitaksi yang menuntut ini. Produk kami direka bentuk untuk menahan suhu tinggi dan pembersihan kimia yang keras, memastikan jangka hayat dan hasil yang optimum.
Grafit Bersalut Karbon Silikon ICP kami direka untuk mencapai corak aliran gas lamina terbaik, memastikan kesamaan profil terma. Ini membantu mengelakkan sebarang pencemaran atau resapan kekotoran, memastikan pertumbuhan epitaxial berkualiti tinggi pada cip wafer.
Hubungi kami hari ini untuk mengetahui lebih lanjut tentang ICP Silicon Carbon Coated Graphite kami.

Parameter Grafit Bersalut Karbon Silikon ICP

Ciri-ciri Grafit Bersalut Karbon Silikon ICP

- Elakkan mengelupas dan pastikan salutan pada semua permukaan

Rintangan pengoksidaan suhu tinggi: Stabil pada suhu tinggi sehingga 1600°C

Ketulenan tinggi: dibuat oleh pemendapan wap kimia CVD di bawah keadaan pengklorinan suhu tinggi.

Rintangan kakisan: kekerasan tinggi, permukaan padat dan zarah halus.

Rintangan kakisan: asid, alkali, garam dan reagen organik.

- Mencapai corak aliran gas lamina terbaik

- Menjamin kesekataan profil terma

- Elakkan sebarang pencemaran atau resapan bendasing