Grafit Bersalut Karbon Silikon ICP

Grafit Bersalut Karbon Silikon ICP Semicorex ialah pilihan ideal untuk menuntut pengendalian wafer dan proses pemendapan filem nipis. Produk kami mempunyai rintangan haba dan kakisan yang unggul, malah keseragaman terma, dan corak aliran gas lamina yang optimum.

Hantar Pertanyaan

Penerangan Produk

Pembawa wafer yang digunakan dalam pemprosesan pertumbuhan epitaxial mesti menahan suhu tinggi dan pembersihan kimia yang keras. Susceptor Grafit Bersalut Karbon Silikon Semicorex ICP direka bentuk khusus untuk aplikasi peralatan epitaksi yang menuntut ini. Produk kami direka bentuk untuk menahan suhu tinggi dan pembersihan kimia yang keras, memastikan jangka hayat dan hasil yang optimum.
Grafit Bersalut Karbon Silikon ICP kami direka untuk mencapai corak aliran gas lamina terbaik, memastikan kesamaan profil terma. Ini membantu mengelakkan sebarang pencemaran atau resapan kekotoran, memastikan pertumbuhan epitaxial berkualiti tinggi pada cip wafer.
Hubungi kami hari ini untuk mengetahui lebih lanjut tentang ICP Silicon Carbon Coated Graphite kami.

Parameter Grafit Bersalut Karbon Silikon ICP

Spesifikasi Utama Salutan CVD-SIC
Sifat SiC-CVD
Struktur Kristal	fasa FCC β
Ketumpatan	g/cm ³	3.21
Kekerasan	Kekerasan Vickers	2500
Saiz Bijirin	μm	2~10
Ketulenan Kimia	%	99.99995
Kapasiti Haba	J kg-1 K-1	640
Suhu Sublimasi	℃	2700
Kekuatan Feleksural	MPa (RT 4 mata)	415
Modulus Muda	Gpa (4pt selekoh, 1300℃)	430
Pengembangan Terma (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Kekonduksian terma	(W/mK)	300