Serbuk Silicon Carbide jenis N

Serbuk Silikon Karbida (SiC) jenis Semicorex N ialah bahan SiC yang didop dengan ketulenan tinggi yang direka khusus untuk aplikasi pertumbuhan kristal termaju. Serbuk Silicon Carbide jenis-N ini dicirikan oleh sifat elektriknya yang unggul dan integriti struktur, menjadikannya pilihan yang ideal untuk pengeluaran kristal silikon karbida yang digunakan dalam pelbagai peranti semikonduktor berprestasi tinggi.

Serbuk Silicon Carbide jenis N didop dengan nitrogen (N), yang memperkenalkan elektron bebas tambahan ke dalam kekisi kristal SiC, meningkatkan kekonduksian elektriknya. Doping jenis N ini penting untuk aplikasi yang memerlukan sifat elektronik yang tepat. Serbuk Silicon Carbide jenis N menjalani proses penulenan yang ketat untuk mencapai tahap ketulenan yang tinggi, meminimumkan kehadiran kekotoran yang boleh menjejaskan proses pertumbuhan kristal dan prestasi produk akhir.

Serbuk Silikon Karbida jenis N Semicorex terdiri daripada zarah halus bersaiz seragam yang menggalakkan pertumbuhan kristal seragam dan meningkatkan kualiti keseluruhan kristal karbida silikon.

Digunakan terutamanya dalam pertumbuhan kristal silikon karbida, serbuk Silikon Karbida jenis N ini penting dalam pembuatan peranti elektronik berkuasa tinggi, penderia suhu tinggi dan pelbagai komponen optoelektronik. Ia juga sesuai digunakan dalam penyelidikan dan pembangunan dalam industri semikonduktor.

Ciri-ciri

Aplikasi:

Pertumbuhan Kristal Silicon Carbide: Digunakan sebagai bahan sumber untuk mengembangkan kristal SiC berkualiti tinggi.

Peranti Semikonduktor: Sesuai untuk komponen elektronik berkuasa tinggi dan frekuensi tinggi.

Elektronik Suhu Tinggi: Sesuai untuk aplikasi yang menuntut prestasi teguh dalam keadaan yang melampau.

Optoelektronik: Digunakan dalam peranti yang memerlukan sifat haba dan elektrik yang luar biasa.