- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Berita Industri
Silikon monohablur berbanding silikon polihablur
Silikon kristal tunggal dan silikon polihabluran masing-masing mempunyai kelebihan unik dan senario yang boleh digunakan. Silikon kristal tunggal sesuai untuk produk elektronik berprestasi tinggi dan mikroelektronik kerana sifat elektrik dan mekanikalnya yang sangat baik. Silikon polihabluran pula m......
Baca Lagi
Substrat dan Epitaksi
Dalam proses penyediaan wafer, terdapat dua pautan teras: satu ialah penyediaan substrat, dan satu lagi ialah pelaksanaan proses epitaxial. Substrat, wafer yang dibuat dengan teliti daripada bahan kristal tunggal semikonduktor, boleh terus dimasukkan ke dalam proses pembuatan wafer sebagai asas untu......
Baca Lagi
Wafer silikon
Bahan silikon ialah bahan pepejal dengan sifat elektrik semikonduktor tertentu dan kestabilan fizikal, dan menyediakan sokongan substrat untuk proses pembuatan litar bersepadu seterusnya. Ia adalah bahan utama untuk litar bersepadu berasaskan silikon. Lebih daripada 95% peranti semikonduktor dan leb......
Baca Lagi
Aliran Proses Teras Substrat Silikon Karbida
Substrat silikon karbida adalah bahan kristal tunggal semikonduktor kompaun yang terdiri daripada dua unsur, karbon dan silikon. Ia mempunyai ciri-ciri jurang jalur yang besar, kekonduksian terma yang tinggi, kekuatan medan pecahan kritikal yang tinggi, dan kadar hanyutan tepu elektron yang tinggi.
Baca Lagi
Peranan Kritikal Substrat SiC dan Pertumbuhan Kristal dalam Industri Semikonduktor
Dalam rantaian industri silikon karbida (SiC), pembekal substrat memegang leverage yang ketara, terutamanya disebabkan oleh pengagihan nilai. Substrat SiC menyumbang 47% daripada jumlah nilai, diikuti oleh lapisan epitaxial pada 23%, manakala reka bentuk peranti dan pembuatan membentuk baki 30%. Ran......
Baca Lagi
