> Berita > Berita Industri

Berita Industri

Pemotongan SiC

Silikon karbida (SiC) sangat digemari dalam industri semikonduktor kerana sifat fizikal dan kimianya yang sangat baik. Walau bagaimanapun, kekerasan dan kerapuhan SiC yang tinggi menimbulkan cabaran yang besar kepada pemprosesannya.

Baca Lagi

Aliran Proses Teras Substrat Silikon Karbida

Substrat silikon karbida adalah bahan kristal tunggal semikonduktor kompaun yang terdiri daripada dua unsur, karbon dan silikon. Ia mempunyai ciri-ciri jurang jalur yang besar, kekonduksian terma yang tinggi, kekuatan medan pecahan kritikal yang tinggi, dan kadar hanyutan tepu elektron yang tinggi.

Baca Lagi

Peranan Kritikal Substrat SiC dan Pertumbuhan Kristal dalam Industri Semikonduktor

Dalam rantaian industri silikon karbida (SiC), pembekal substrat memegang leverage yang ketara, terutamanya disebabkan oleh pengagihan nilai. Substrat SiC menyumbang 47% daripada jumlah nilai, diikuti oleh lapisan epitaxial pada 23%, manakala reka bentuk peranti dan pembuatan membentuk baki 30%. Ran......

Baca Lagi

Penggunaan SiC dan GaN dalam kenderaan elektrik

MOSFET SiC ialah transistor yang menawarkan ketumpatan kuasa tinggi, kecekapan yang dipertingkatkan dan kadar kegagalan yang rendah pada suhu tinggi. Kelebihan MOSFET SiC ini membawa banyak faedah kepada kenderaan elektrik (EV), termasuk jarak pemanduan yang lebih panjang, pengecasan lebih pantas da......

Baca Lagi

Semikonduktor Generasi Ke-4 Gallium Oxide/β-Ga2O3

Bahan semikonduktor generasi pertama diwakili terutamanya oleh silikon (Si) dan germanium (Ge), yang mula meningkat pada tahun 1950-an. Germanium adalah dominan pada hari-hari awal dan digunakan terutamanya dalam transistor dan fotodetektor voltan rendah, frekuensi rendah, kuasa sederhana, tetapi di......

Baca Lagi

Pertumbuhan Epitaxial Tanpa Kecacatan dan Dislokasi Tidak Sesuai

Pertumbuhan epitaxial tanpa kecacatan berlaku apabila satu kekisi kristal mempunyai pemalar kekisi yang hampir sama dengan yang lain. Pertumbuhan berlaku apabila tapak kekisi dua kekisi di rantau antara muka hampir dipadankan, yang mungkin dengan ketidakpadanan kekisi kecil (kurang daripada 0.1%). P......

Baca Lagi

<...14 15 16 17 18...31 >