> Berita > Berita Industri

Berita Industri

Kaedah Pertumbuhan Kristal GaN

Apabila menghasilkan substrat kristal tunggal GaN bersaiz besar, HVPE kini merupakan pilihan terbaik untuk pengkomersilan. Walau bagaimanapun, kepekatan pembawa belakang GaN yang ditanam tidak dapat dikawal dengan tepat.

Baca Lagi

Kristal Tunggal GaN

Teknologi semikonduktor telah menjadi tulang belakang tamadun moden, secara asasnya mengubah cara kita hidup, bekerja dan berinteraksi dengan dunia. Ia telah membolehkan kemajuan yang belum pernah berlaku sebelum ini dalam pelbagai bidang termasuk teknologi maklumat, tenaga, telekomunikasi dan penja......

Baca Lagi

Seramik SiC: Bahan yang sangat diperlukan untuk Komponen Ketepatan Tinggi dalam Pembuatan Semikonduktor

Pembuatan semikonduktor, asas kemajuan teknologi moden, sentiasa mengejar litar bersepadu yang lebih kecil, lebih pantas dan lebih cekap. Pengejaran tanpa henti ini mendorong keperluan untuk proses pembuatan yang semakin tepat dan canggih, di mana setiap langkah sangat bergantung pada peralatan berp......

Baca Lagi

Apakah ijazah grafitisasi?

Tahap grafisasi ialah ukuran penting yang digunakan untuk menilai seberapa dekat atom karbon untuk membentuk struktur kristal grafit heksagon yang padat.

Baca Lagi

Proses pertumbuhan filem nipis

Filem nipis biasa terbahagi terutamanya kepada tiga kategori: filem nipis semikonduktor, filem nipis dielektrik dan filem nipis sebatian logam/logam.

Baca Lagi

Heteroepitaxy 3C-SiC: Gambaran Keseluruhan

Pembangunan 3C-SiC, politaip silikon karbida yang ketara, mencerminkan kemajuan berterusan sains bahan semikonduktor. Pada tahun 1980-an, Nishino et al. pertama kali mencapai filem 3C-SiC setebal 4 μm pada substrat silikon menggunakan pemendapan wap kimia (CVD)[1], meletakkan asas untuk teknologi fi......

Baca Lagi

<...13 14 15 16 17...32 >