Peringkat paling asas dari semua proses ialah proses pengoksidaan. Proses pengoksidaan adalah untuk meletakkan wafer silikon dalam suasana oksidan seperti oksigen atau wap air untuk rawatan haba suhu tinggi (800~1200 ℃), dan tindak balas kimia berlaku pada permukaan wafer silikon untuk membentuk fil......
Baca LagiPertumbuhan epitaksi GaN pada substrat GaN memberikan cabaran yang unik, walaupun sifat unggul bahan jika dibandingkan dengan silikon. GaN epitaxy menawarkan kelebihan ketara dari segi lebar jurang jalur, kekonduksian terma dan medan elektrik pecahan berbanding bahan berasaskan silikon. Ini menjadik......
Baca LagiSeparuh jalur lebar (WBG) seperti Silicon Carbide (SiC) dan Gallium Nitride (GaN) dijangka memainkan peranan yang semakin penting dalam peranti elektronik kuasa. Mereka menawarkan beberapa kelebihan berbanding peranti Silikon (Si) tradisional, termasuk kecekapan yang lebih tinggi, ketumpatan kuasa d......
Baca Lagi