- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Berita
Proses Plasma dalam Operasi CVD
Pemendapan Wap Kimia (CVD) merujuk kepada teknologi proses di mana berbilang bahan tindak balas gas pada tekanan separa yang berbeza-beza menjalani tindak balas kimia di bawah keadaan suhu dan tekanan tertentu. Bahan pepejal yang terhasil mendapan pada permukaan bahan substrat, dengan itu memperoleh......
Baca Lagi
Lonjakan dan Tinjauan Pasaran Peranti Kuasa Silicon Carbide (SiC).
Apabila penerimaan global kenderaan elektrik meningkat secara beransur-ansur, Silicon Carbide (SiC) akan menghadapi peluang pertumbuhan baru dalam dekad yang akan datang. Pengilang semikonduktor dan pengendali kuasa dalam industri automotif dijangka mengambil bahagian secara lebih aktif dalam pembin......
Baca Lagi
Lapisan dan Substrat Epitaxial Silikon dalam Pembuatan Semikonduktor
Dalam bidang elektronik moden, optoelektronik, mikroelektronik dan teknologi maklumat, substrat semikonduktor dan teknologi epitaxial amat diperlukan. Mereka menyediakan asas yang kukuh untuk mengeluarkan peranti semikonduktor berprestasi tinggi dan kebolehpercayaan tinggi. Apabila teknologi terus m......
Baca Lagi
Kelebihan SiC dalam industri EV
Sebagai bahan semikonduktor jurang jalur lebar (WBG), perbezaan tenaga SiC yang lebih luas memberikan sifat terma dan elektronik yang lebih tinggi berbanding dengan Si tradisional. Ciri ini membolehkan peranti kuasa beroperasi pada suhu, frekuensi dan voltan yang lebih tinggi.
Baca Lagi
Kawalan Doping dalam Pertumbuhan SiC Sublimasi
Silikon karbida (SiC) memainkan peranan penting dalam pembuatan elektronik kuasa dan peranti frekuensi tinggi kerana sifat elektrik dan haba yang sangat baik. Kualiti dan tahap doping kristal SiC secara langsung mempengaruhi prestasi peranti, jadi kawalan doping yang tepat adalah salah satu teknolog......
Baca Lagi
