- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Berita
Teknologi Demystifying Electrostatic Chuck (ESC) dalam Pengendalian Wafer
Elektrostatik chuck (ESC) telah menjadi sangat diperlukan dalam pembuatan semikonduktor dan pengeluaran paparan panel rata, menawarkan kaedah bebas kerosakan, sangat terkawal untuk memegang dan meletakkan wafer dan substrat halus semasa langkah pemprosesan kritikal. Artikel ini menyelidiki selok-bel......
Baca Lagi
Heteroepitaxy 3C-SiC: Gambaran Keseluruhan
Pembangunan 3C-SiC, politaip silikon karbida yang ketara, mencerminkan kemajuan berterusan sains bahan semikonduktor. Pada tahun 1980-an, Nishino et al. pertama kali mencapai filem 3C-SiC setebal 4 μm pada substrat silikon menggunakan pemendapan wap kimia (CVD)[1], meletakkan asas untuk teknologi fi......
Baca Lagi
SiC Tebal CVD Ketulenan Tinggi: Cerapan Proses untuk Pertumbuhan Bahan
Lapisan silikon karbida (SiC) yang tebal, ketulenan tinggi, biasanya melebihi 1mm, merupakan komponen kritikal dalam pelbagai aplikasi bernilai tinggi, termasuk fabrikasi semikonduktor dan teknologi aeroangkasa. Artikel ini menyelidiki proses Pemendapan Wap Kimia (CVD) untuk menghasilkan lapisan sed......
Baca Lagi
Silikon monohablur berbanding silikon polihablur
Silikon kristal tunggal dan silikon polihabluran masing-masing mempunyai kelebihan unik dan senario yang boleh digunakan. Silikon kristal tunggal sesuai untuk produk elektronik berprestasi tinggi dan mikroelektronik kerana sifat elektrik dan mekanikalnya yang sangat baik. Silikon polihabluran pula m......
Baca Lagi
