Pertumbuhan wafer epitaxial Gallium Nitride (GaN) adalah proses yang kompleks, selalunya menggunakan kaedah dua langkah. Kaedah ini melibatkan beberapa peringkat kritikal, termasuk pembakar suhu tinggi, pertumbuhan lapisan penimbal, penghabluran semula dan penyepuhlindapan. Dengan mengawal suhu deng......
Baca LagiSubstrat silikon karbida adalah bahan kristal tunggal semikonduktor kompaun yang terdiri daripada dua unsur, karbon dan silikon. Ia mempunyai ciri-ciri jurang jalur yang besar, kekonduksian terma yang tinggi, kekuatan medan pecahan kritikal yang tinggi, dan kadar hanyutan tepu elektron yang tinggi.
Baca LagiDalam rantaian industri silikon karbida (SiC), pembekal substrat memegang leverage yang ketara, terutamanya disebabkan oleh pengagihan nilai. Substrat SiC menyumbang 47% daripada jumlah nilai, diikuti oleh lapisan epitaxial pada 23%, manakala reka bentuk peranti dan pembuatan membentuk baki 30%. Ran......
Baca LagiMOSFET SiC ialah transistor yang menawarkan ketumpatan kuasa tinggi, kecekapan yang dipertingkatkan dan kadar kegagalan yang rendah pada suhu tinggi. Kelebihan MOSFET SiC ini membawa banyak faedah kepada kenderaan elektrik (EV), termasuk jarak pemanduan yang lebih panjang, pengecasan lebih pantas da......
Baca Lagi