> Berita

Berita

Mengetahui MOCVD

MOCVD ialah teknologi pertumbuhan epitaxial fasa wap baharu yang dibangunkan berdasarkan pertumbuhan epitaxial fasa wap (VPE).

Baca Lagi

Aplikasi Komponen Grafit Bersalut TaC

Dalam proses pertumbuhan kristal tunggal SiC dan AlN dengan kaedah pengangkutan wap fizikal (PVT), komponen seperti pijar, pemegang kristal benih dan cincin panduan memainkan peranan yang penting. Semasa proses penyediaan SiC, kristal benih terletak di kawasan suhu yang agak rendah, manakala bahan m......

Baca Lagi

Proses Memotong dan Mengisar Substrat

Bahan substrat SiC adalah teras cip SiC. Proses pengeluaran substrat ialah: selepas memperoleh jongkong kristal SiC melalui pertumbuhan kristal tunggal; kemudian menyediakan substrat SiC memerlukan pelicinan, pembulatan, pemotongan, pengisaran (penipisan); penggilap mekanikal, penggilap mekanikal ki......

Baca Lagi

Syarikat perindustrian substrat Gallium Oxide 6 inci yang pertama

Baru-baru ini, syarikat kami mengumumkan bahawa syarikat itu telah berjaya membangunkan kristal tunggal Gallium Oxide 6-inci menggunakan kaedah tuangan, menjadi syarikat perindustrian domestik pertama yang menguasai teknologi penyediaan substrat kristal tunggal Gallium Oxide 6-inci.

Baca Lagi

Perbezaan antara kristal SiC dengan struktur yang berbeza

Silikon karbida (SiC) ialah bahan yang mempunyai kestabilan terma, fizikal dan kimia yang luar biasa, mempamerkan sifat yang melebihi bahan konvensional. Kekonduksian termanya ialah 84W/(m·K) yang menakjubkan, yang bukan sahaja lebih tinggi daripada tembaga tetapi juga tiga kali ganda silikon. Ini m......

Baca Lagi

Apakah salutan TaC pada grafit?

Dalam bidang pembuatan semikonduktor yang berkembang pesat, walaupun penambahbaikan yang paling kecil boleh membuat perbezaan yang besar apabila ia datang untuk mencapai prestasi optimum, ketahanan dan kecekapan. Satu kemajuan yang menjana banyak heboh dalam industri ialah penggunaan salutan TaC (Ta......

Baca Lagi

<...16 17 18 19 20...30 >