Plat Etching SiC ICP

Semicorex SiC ICP Etching Plate memenuhi permintaan industri dengan menawarkan kekonduksian terma yang luar biasa, kekerasan unggul, dan kestabilan kimia yang luar biasa, menjadikannya pilihan utama untuk pembuatan semikonduktor termaju.

Silicon Carbide terkenal dengan kekonduksian terma yang luar biasa, sifat penting dalam pembuatan semikonduktor. Sifat ini membolehkan Plat Etching SiC ICP menghilangkan haba yang dihasilkan dengan cekap semasa proses etsa, mengekalkan suhu operasi yang optimum. Dengan menguruskan haba secara berkesan, Plat Etching SiC ICP meminimumkan risiko terlalu panas, memastikan prestasi dan kebolehpercayaan yang konsisten, walaupun dalam aplikasi berkuasa tinggi. Pengurusan haba ini penting untuk mengekalkan integriti proses goresan dan mencapai hasil yang berkualiti tinggi.

Satu lagi ciri menonjol Plat Etching SiC ICP ialah kekerasan unggul dan rintangan hausnya. Sebagai salah satu bahan paling sukar yang ada, Silicon Carbide mempamerkan ketahanan yang luar biasa terhadap lelasan dan haus mekanikal. Ciri ini amat berharga dalam persekitaran etsa plasma, di mana plat etsa terdedah kepada keadaan kimia dan fizikal yang agresif. Ketahanan Plat Etching SiC ICP diterjemahkan kepada hayat perkhidmatan yang lebih lama, masa henti yang dikurangkan dan kos penyelenggaraan yang lebih rendah, menjadikannya penyelesaian yang kos efektif untuk pembuatan volum tinggi.

Selain sifat terma dan mekanikalnya, Plat Etching SiC ICP menawarkan kestabilan kimia yang sangat baik. Silicon Carbide sangat tahan terhadap kakisan dan serangan kimia, memastikan ia mengekalkan integriti dan prestasi strukturnya walaupun dalam persekitaran kimia yang keras. Rintangan terhadap degradasi kimia ini adalah penting untuk mengekalkan ketepatan dan ketepatan proses goresan, kerana sebarang kompromi dalam integriti plat etsa boleh menyebabkan kecacatan pada peranti semikonduktor yang dihasilkan.