Plat ICP SiC

Plat Semicorex SiC ICP dibuat oleh Silicon carbide, yang terkenal dengan sifat fizikal dan kimianya yang luar biasa. Sifatnya yang teguh memastikan ketahanan yang unggul terhadap kejutan haba, pengoksidaan dan kakisan, yang merupakan faktor kritikal dalam persekitaran pemprosesan semikonduktor yang keras. Penggunaan bahan SiC meningkatkan jangka hayat plat dengan ketara, mengurangkan kekerapan penggantian dan seterusnya mengurangkan kos penyelenggaraan dan masa henti dalam kemudahan pengeluaran.

Plat SiC ICP memainkan peranan penting dalam proses etsa dan pemendapan plasma, yang merupakan asas kepada penciptaan wafer semikonduktor. Semasa proses ini, kekonduksian terma yang tinggi dan kestabilan plat SiC ICP memastikan kawalan suhu yang tepat dan pengedaran seragam plasma, yang penting untuk mencapai keputusan etsa dan pemendapan yang konsisten dan tepat. Ketepatan ini penting dalam penghasilan peranti semikonduktor yang semakin kecil dan kompleks, di mana penyimpangan kecil pun boleh membawa kepada isu prestasi yang ketara.

Salah satu ciri yang menonjol pada plat SiC ICP ialah kekuatan mekanikalnya yang luar biasa. Kekerasan dan ketegaran semula jadi silikon karbida memberikan integriti struktur yang sangat baik, walaupun dalam keadaan yang melampau. Kekukuhan ini diterjemahkan kepada prestasi yang lebih stabil dan boleh dipercayai semasa proses plasma intensiti tinggi, meminimumkan risiko kegagalan komponen dan memastikan operasi berterusan tanpa gangguan. Selain itu, sifat ringan bahan berbanding dengan logam tradisional menyumbang kepada pengendalian dan pemasangan yang lebih mudah, meningkatkan lagi kecekapan operasi.

Sebagai tambahan kepada sifat fizikalnya, plat SiC ICP menawarkan kestabilan kimia yang sangat baik. Ia mempamerkan ketahanan yang luar biasa terhadap spesies plasma reaktif, yang lazim dalam persekitaran etsa dan pemendapan semikonduktor. Rintangan ini memastikan bahawa plat mengekalkan integriti dan prestasinya dalam tempoh yang lama, walaupun dengan kehadiran bahan kimia agresif yang digunakan dalam proses plasma. Akibatnya, plat SiC ICP menyediakan persekitaran pemprosesan yang lebih bersih, mengurangkan kemungkinan pencemaran dan kecacatan pada wafer semikonduktor.