Tiub Proses SiC

Tiub proses Semicorex SiC (Silicon Carbide) ialah komponen khusus yang digunakan dalam proses rawatan haba wafer, terutamanya dalam aplikasi yang memerlukan suhu tinggi, atmosfera menghakis, atau kedua-duanya. Ia direka bentuk untuk menyediakan persekitaran perlindungan dan terkawal untuk wafer semikonduktor semasa rawatan haba atau pemprosesan terma.

Tiub proses direka bentuk dengan teliti untuk mencipta ruang tertutup di mana wafer diletakkan untuk rawatan haba. Ia bertindak sebagai penghalang, menghalang sentuhan langsung wafer dengan persekitaran sekeliling. Pengasingan ini penting untuk mengekalkan ketulenan suasana pemprosesan dan melindungi wafer daripada pencemaran.

Di dalam tiub proses SiC, rawatan haba wafer berlaku. Ini boleh merangkumi pelbagai proses seperti penyepuhlindapan, pengoksidaan, resapan dan rawatan terma lain yang diperlukan untuk mengubah suai sifat bahan wafer. Ciri-ciri tiub, seperti kekonduksian haba yang tinggi dan ketahanan terhadap serangan kimia, membantu memastikan pengagihan suhu seragam dan perlindungan wafer.

Tiub proses SiC adalah komponen kritikal dalam proses rawatan haba wafer. Rintangan suhu tinggi, lengai kimia dan keupayaan untuk mencipta persekitaran terkawal memastikan pelaksanaan langkah pemprosesan haba yang berjaya, yang membawa kepada pengeluaran wafer semikonduktor berkualiti tinggi.