Pembawa sic untuk ICP

Kejuruteraan untuk memenuhi tuntutan tanpa kompromi moden inductiveCoupledPlasma (ICP) dan alat pemendapan, pembawa grafit bersalut semikorexsic untuk ICP menyampaikan keseimbangan ketahanan plasma, ketepatan haba dan kestabilan mekanikal. Pada terasnya terletak substrat grafit yang kecil dan kecil yang orientasi kristal dikawal dengan ketat untuk menghasilkan tingkah laku anisotropik yang luar biasa: kekonduksian terma dalam pesawat jauh melampaui gred isostatik konvensional, sementara laluan melalui pesawat tetap sengaja disederhanakan untuk menindas tempat -tempat yang panas. Pengurusan aliran haba arah ini memastikan bahawa setiap mati merentasi 150mm hingga 300mm wafer mengalami suhu seragam yang seragam dan keseimbangan keadaan mantap, secara langsung diterjemahkan ke dalam pengagihan kritikal (CD) yang lebih sempit dan hasil peranti yang lebih tinggi.

Dibungkus di sekitar grafit ultra -pure ini adalah lapisan silikon -karbida yang bersesuaian bersama dalam relau CVD suhu tinggi. Salutan SIC -secara terang -terangan melampaui sehingga 2,000 ° C dan membanggakan porositi mikro kurang daripada 0.1% -membentuk perisai yang tidak dapat ditembusi terhadap radikal fluorin, klorin dan bromin yang biasa dalam kimia ICP yang tinggi. Ujian ketahanan jangka panjang dalam cf₄/o₂, cl₂/bcl₃ dan hbr/he plasmas telah menunjukkan kadar hakisan di bawah 0.3μmper100 jam, memanjangkan hayat perkhidmatan pembawa jauh melampaui norma -norma industri dan secara drastik mengurangkan downtime pencegahan.

Ketepatan dimensi sama -sama tidak dikompromi: kebosanan permukaan dikawal dalam ± 5μm di seluruh kawasan poket, manakala ciri pengecualian kelebihan adalah laser -machined untuk melindungi perimeter wafer dari pengedaran mikro. Toleransi yang ketat, ditambah pula dengan kekerasan berhampiran di SIC Coating, menentang generasi zarah di bawah pengapit mekanikal dan berbasikal elektrostatik, melindungi proses nod sub -10nm dari pencemaran kecacatan pembunuh. Bagi reaktor ICP kuasa tinggi, resistiviti elektrik rendah pembawa (<40μΩ · m) menggalakkan penstabilan pesawat RF yang cepat, meminimumkan turun naik voltan sarung yang boleh mengikis profil photoresist atau mendorong mikro -masking.

Setiap kumpulan pembawa Semicorex menjalani pemetaan metrologi yang komprehensif untuk mengesahkan penjajaran kristalografi grafit, SEM -cross -sectioning untuk mengesahkan integriti lapisan SIC, dan analisis gas sisa untuk mengesahkan ambang pencemaran tahap PPM. Kerana kita menegaskan pengeluaran mikro -lot (kurang daripada 20 keping setiap larian), carta kawalan proses statistik tetap sangat ketat, membolehkan kita menjamin kebolehulangan wafer -to -wafer yang pembekal pasaran massa tidak dapat dipadankan. Geometri tersuai, kedalaman poket dan saluran penyejukan belakang boleh didapati dengan masa utama setakat tiga minggu, memperkasakan OEM peralatan dan Fabs yang tinggi untuk mengoptimumkan resipi ruang tanpa reka bentuk semula keseluruhan perkakasan.

Dengan menyatukan grafit anisotropik kelas dunia dengan perisai SIC hermetik, pembawa SIC Semicorex untuk ICP menyediakan fabs dengan platform yang lama, pencemaran dan termal yang tidak hanya bertahan yang tidak hanya menahan persekitaran plasma yang paling keras, tetapi secara aktif meningkatkan proses lintang tingkap dan aktif. Bagi pengeluar peranti yang berusaha ke arah linewidths yang lebih tinggi, profil curam dan kos pemilikan yang lebih rendah, ia adalah pembawa pilihan di mana setiap mikron, setiap wafer dan setiap jam uptime.