Rumah > Produk > Bersalut Silikon Karbida > Pembawa Etching ICP > Komponen ICP Bersalut SiC
Komponen ICP Bersalut SiC

Komponen ICP Bersalut SiC

Komponen ICP Bersalut SiC Semicorex direka khusus untuk proses pengendalian wafer suhu tinggi seperti epitaksi dan MOCVD. Dengan salutan kristal SiC yang halus, pembawa kami memberikan rintangan haba yang unggul, malah keseragaman terma, dan rintangan kimia yang tahan lama.

Hantar Pertanyaan

Penerangan Produk

Komponen ICP Bersalut SiC Semicorex ialah pilihan utama untuk proses pengendalian wafer yang memerlukan suhu tinggi dan rintangan kimia. Pembawa kami menyediakan profil terma yang sekata, corak aliran gas lamina, dan mencegah pencemaran atau penyebaran kekotoran berkat kristal SiC kami yang halus. Dengan salutan kristal SiC yang halus, pembawa kami memberikan rintangan haba yang unggul, malah keseragaman terma, dan rintangan kimia yang tahan lama.
Di Semicorex, kami memberi tumpuan kepada menyediakan produk berkualiti tinggi dan kos efektif kepada pelanggan kami. Komponen ICP Bersalut SiC kami mempunyai kelebihan harga dan dieksport ke banyak pasaran Eropah dan Amerika. Kami menyasarkan untuk menjadi rakan kongsi jangka panjang anda, menyampaikan produk berkualiti yang konsisten dan perkhidmatan pelanggan yang luar biasa.
Hubungi kami hari ini untuk mengetahui lebih lanjut tentang Komponen ICP Bersalut SiC kami.


Parameter Komponen ICP Bersalut SiC

Spesifikasi Utama Salutan CVD-SIC

Sifat SiC-CVD

Struktur Kristal

Fasa FCC β

Ketumpatan

g/cm ³

3.21

Kekerasan

Kekerasan Vickers

2500

Saiz bijirin

μm

2~10

Ketulenan Kimia

%

99.99995

Kapasiti Haba

J·kg-1 ·K-1

640

Suhu Sublimasi

2700

Kekuatan Feleksural

MPa (RT 4 mata)

415

Modulus Muda

Gpa (4pt selekoh, 1300â)

430

Pengembangan Terma (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Kekonduksian terma

(W/mK)

300


Ciri-ciri Komponen ICP Bersalut SiC

- Elakkan mengelupas dan pastikan salutan pada semua permukaan

Rintangan pengoksidaan suhu tinggi: Stabil pada suhu tinggi sehingga 1600°C

Ketulenan tinggi: dibuat oleh pemendapan wap kimia CVD di bawah keadaan pengklorinan suhu tinggi.

Rintangan kakisan: kekerasan tinggi, permukaan padat dan zarah halus.

Rintangan kakisan: asid, alkali, garam dan reagen organik.

- Mencapai corak aliran gas lamina terbaik

- Menjamin kesekataan profil terma

- Elakkan sebarang pencemaran atau resapan bendasing





Teg Panas: Komponen ICP Bersalut SiC, China, Pengilang, Pembekal, Kilang, Disesuaikan, Pukal, Lanjutan, Tahan Lama

Kategori Berkaitan

Hantar Pertanyaan

Sila berasa bebas untuk memberikan pertanyaan anda dalam borang di bawah. Kami akan membalas anda dalam masa 24 jam.
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept