Rumah > Produk > Bersalut Silikon Karbida > Penerima MOCVD > Pembawa Plat Bersalut SiC untuk MOCVD
Pembawa Plat Bersalut SiC untuk MOCVD

Pembawa Plat Bersalut SiC untuk MOCVD

Pembawa Plat Bersalut Semicorex SiC untuk MOCVD ialah pembawa berkualiti tinggi yang direka untuk digunakan dalam proses pembuatan semikonduktor. Ketulenannya yang tinggi, rintangan kakisan yang sangat baik, dan juga profil terma menjadikannya pilihan yang sangat baik untuk mereka yang mencari pembawa yang boleh menahan permintaan proses pembuatan semikonduktor.

Hantar Pertanyaan

Penerangan Produk

Pembawa plat bersalut SiC kami untuk MOCVD menampilkan ketulenan yang tinggi, menjadikannya pilihan terbaik bagi mereka yang mencari pembawa yang sangat seragam dan konsisten dalam sifatnya.
Pembawa plat bersalut SiC kami untuk MOCVD dibuat dengan salutan silikon karbida ketulenan tinggi pada grafit, yang menjadikannya sangat tahan terhadap pengoksidaan pada suhu tinggi sehingga 1600°C. Proses pemendapan wap kimia CVD yang digunakan dalam pembuatannya memastikan ketulenan tinggi dan rintangan kakisan yang sangat baik. Ia sangat tahan kakisan, dengan permukaan padat dan zarah halus, menjadikannya tahan terhadap asid, alkali, garam dan reagen organik. Rintangan pengoksidaan suhu tinggi memastikan kestabilan pada suhu tinggi sehingga 1600°C.


Parameter Pembawa Plat Bersalut SiC untuk MOCVD

Spesifikasi Utama Salutan CVD-SIC

Sifat SiC-CVD

Struktur Kristal

fasa FCC β

Ketumpatan

g/cm ³

3.21

Kekerasan

Kekerasan Vickers

2500

Saiz Bijirin

μm

2~10

Ketulenan Kimia

%

99.99995

Kapasiti Haba

J kg-1 K-1

640

Suhu Sublimasi

2700

Kekuatan Feleksural

MPa (RT 4 mata)

415

Modulus Muda

Gpa (4pt selekoh, 1300℃)

430

Pengembangan Terma (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Kekonduksian terma

(W/mK)

300


Ciri-ciri Susceptor Grafit Bersalut SiC untuk MOCVD

- Elakkan mengelupas dan pastikan salutan pada semua permukaan
Rintangan pengoksidaan suhu tinggi: Stabil pada suhu tinggi sehingga 1600°C
Ketulenan tinggi: dibuat oleh pemendapan wap kimia CVD di bawah keadaan pengklorinan suhu tinggi.
Rintangan kakisan: kekerasan tinggi, permukaan padat dan zarah halus.
Rintangan kakisan: asid, alkali, garam dan reagen organik.
- Mencapai corak aliran gas lamina terbaik
- Menjamin kesekataan profil terma
- Elakkan sebarang pencemaran atau resapan bendasing




Teg Panas: Pembawa Plat Bersalut SiC untuk MOCVD, China, Pengilang, Pembekal, Kilang, Disesuaikan, Pukal, Termaju, Tahan Lama
Kategori Berkaitan
Hantar Pertanyaan
Sila berasa bebas untuk memberikan pertanyaan anda dalam borang di bawah. Kami akan membalas anda dalam masa 24 jam.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept