> Produk > Bersalut Silikon Karbida > Penerima MOCVD > Plat Cakera Bintang Penutup MOCVD untuk Wafer Epitaxy

Produk

produk baru

Plat Cakera Bintang Penutup MOCVD untuk Wafer Epitaxy

Semicorex ialah pengeluar terkenal dan pembekal Plat Cakera Penutup Bintang MOCVD berkualiti tinggi untuk Wafer Epitaxy. Produk kami direka khas untuk memenuhi keperluan industri semikonduktor, terutamanya dalam mengembangkan lapisan epitaxial pada cip wafer. Susceptor kami digunakan sebagai plat tengah dalam MOCVD, dengan reka bentuk gear atau berbentuk cincin. Produk ini sangat tahan terhadap haba tinggi dan kakisan, menjadikannya sesuai untuk digunakan dalam persekitaran yang melampau.

Hantar Pertanyaan

Penerangan Produk

Plat Cakera Bintang Penutup MOCVD kami untuk Wafer Epitaxy ialah produk terbaik yang memastikan salutan pada semua permukaan, dengan itu mengelakkan pengelupasan. Ia mempunyai rintangan pengoksidaan suhu tinggi yang memastikan kestabilan walaupun pada suhu tinggi sehingga 1600°C. Produk ini dibuat dengan ketulenan tinggi melalui pemendapan wap kimia CVD di bawah keadaan pengklorinan suhu tinggi. Ia mempunyai permukaan yang padat dengan zarah halus, menjadikannya sangat tahan terhadap kakisan daripada asid, alkali, garam dan reagen organik.
Plat Cakera Bintang Penutup MOCVD kami untuk Wafer Epitaxy menjamin corak aliran gas lamina terbaik, memastikan kesamaan profil terma. Ia menghalang sebarang pencemaran atau penyebaran kekotoran, memastikan pertumbuhan epitaxial berkualiti tinggi pada cip wafer. Produk kami mempunyai harga yang kompetitif, menjadikannya boleh diakses oleh ramai pelanggan. Kami meliputi banyak pasaran Eropah dan Amerika, dan pasukan kami berdedikasi untuk menyediakan perkhidmatan dan sokongan pelanggan yang cemerlang. Kami berusaha untuk menjadi rakan kongsi jangka panjang anda dalam menyediakan Plat Cakera Bintang Penutup MOCVD berkualiti tinggi dan boleh dipercayai untuk Wafer Epitaxy.

Parameter Plat Cakera Bintang Penutup MOCVD untuk Wafer Epitaxy

Spesifikasi Utama Salutan CVD-SIC
Sifat SiC-CVD
Struktur Kristal	fasa FCC β
Ketumpatan	g/cm ³	3.21
Kekerasan	Kekerasan Vickers	2500
Saiz Bijirin	μm	2~10
Ketulenan Kimia	%	99.99995
Kapasiti Haba	J kg-1 K-1	640
Suhu Sublimasi	℃	2700
Kekuatan Feleksural	MPa (RT 4 mata)	415
Modulus Muda	Gpa (4pt selekoh, 1300℃)	430
Pengembangan Terma (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Kekonduksian terma	(W/mK)	300

Ciri-ciri Plat Cakera Bintang Penutup MOCVD untuk Wafer Epitaxy

- Elakkan mengelupas dan pastikan salutan pada semua permukaan
Rintangan pengoksidaan suhu tinggi: Stabil pada suhu tinggi sehingga 1600°C
Ketulenan tinggi: dibuat oleh pemendapan wap kimia CVD di bawah keadaan pengklorinan suhu tinggi.
Rintangan kakisan: kekerasan tinggi, permukaan padat dan zarah halus.
Rintangan kakisan: asid, alkali, garam dan reagen organik.
- Mencapai corak aliran gas lamina terbaik
- Menjamin kesekataan profil terma
- Elakkan sebarang pencemaran atau resapan bendasing