Platform Satelit Grafit MOCVD Bersalut SiC

Semicorex ialah pembekal dan pengilang Platform Satelit Grafit MOCVD Bersalut SiC yang terkenal. Produk kami direka khas untuk memenuhi keperluan industri semikonduktor dalam mengembangkan lapisan epitaxial pada cip wafer. Produk ini digunakan sebagai plat tengah dalam MOCVD, dengan reka bentuk gear atau berbentuk cincin. Ia mempunyai rintangan haba dan kakisan yang tinggi, menjadikannya sesuai untuk digunakan dalam persekitaran yang melampau.

Hantar Pertanyaan

Penerangan Produk

Salah satu ciri yang paling ketara bagi Platform Satelit Grafit MOCVD Bersalut SiC kami ialah keupayaannya untuk memastikan salutan pada semua permukaan, mengelakkan pengelupasan. Ia mempunyai rintangan pengoksidaan suhu tinggi, memastikan kestabilan walaupun pada suhu tinggi sehingga 1600°C. Produk ini dibuat dengan ketulenan tinggi melalui pemendapan wap kimia CVD di bawah keadaan pengklorinan suhu tinggi. Ia mempunyai permukaan yang padat dengan zarah halus, menjadikannya sangat tahan terhadap kakisan daripada asid, alkali, garam dan reagen organik.
Platform Satelit Grafit MOCVD Bersalut SiC kami direka untuk menjamin corak aliran gas lamina terbaik, memastikan kesamaan profil terma. Ia menghalang sebarang pencemaran atau penyebaran kekotoran, memastikan pertumbuhan epitaxial berkualiti tinggi pada cip wafer. Kami menawarkan harga yang kompetitif untuk produk kami, menjadikannya boleh diakses oleh ramai pelanggan. Pasukan kami berdedikasi untuk menyediakan perkhidmatan dan sokongan pelanggan yang cemerlang. Kami meliputi kebanyakan pasaran Eropah dan Amerika, dan kami berusaha untuk menjadi rakan kongsi jangka panjang anda dalam menyediakan Platform Satelit MOCVD Graphite Satellite SiC yang berkualiti tinggi dan boleh dipercayai. Hubungi kami hari ini untuk mengetahui lebih lanjut tentang produk kami.

Parameter Platform Satelit Grafit MOCVD Bersalut SiC

Spesifikasi Utama Salutan CVD-SIC
Sifat SiC-CVD
Struktur Kristal	Fasa FCC Î²
Ketumpatan	g/cm ³	3.21
Kekerasan	Kekerasan Vickers	2500
Saiz bijirin	Î¼m	2~10
Ketulenan Kimia	%	99.99995
Kapasiti Haba	J·kg-1 ·K-1	640
Suhu Sublimasi	℃	2700
Kekuatan Feleksural	MPa (RT 4 mata)	415
Modulus Muda	Gpa (4pt selekoh, 1300â)	430
Pengembangan Terma (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Kekonduksian terma	(W/mK)	300

Ciri-ciri Platform Satelit Grafit MOCVD Bersalut SiC

- Elakkan mengelupas dan pastikan salutan pada semua permukaan
Rintangan pengoksidaan suhu tinggi: Stabil pada suhu tinggi sehingga 1600°C
Ketulenan tinggi: dibuat oleh pemendapan wap kimia CVD di bawah keadaan pengklorinan suhu tinggi.
Rintangan kakisan: kekerasan tinggi, permukaan padat dan zarah halus.
Rintangan kakisan: asid, alkali, garam dan reagen organik.
- Mencapai corak aliran gas lamina terbaik
- Menjamin kesekataan profil terma
- Elakkan sebarang pencemaran atau resapan bendasing