Rumah > Produk > Bersalut Silikon Karbida > Susceptor MOCVD > SiC Susceptor untuk MOCVD
SiC Susceptor untuk MOCVD

SiC Susceptor untuk MOCVD

Semicorex ialah pengeluar dan pembekal utama SiC Susceptor untuk MOCVD. Produk kami direka khas untuk memenuhi keperluan industri semikonduktor dalam mengembangkan lapisan epitaxial pada cip wafer. Produk ini digunakan sebagai plat tengah dalam MOCVD, dengan reka bentuk gear atau berbentuk cincin. Ia mempunyai rintangan haba dan kakisan yang tinggi, menjadikannya sesuai untuk digunakan dalam persekitaran yang melampau.

Hantar Pertanyaan

Penerangan Produk

Susceptor SiC kami untuk MOCVD ialah produk berkualiti tinggi yang mempunyai beberapa ciri utama. Ia memastikan salutan pada semua permukaan, mengelakkan pengelupasan, dan mempunyai rintangan pengoksidaan suhu tinggi, memastikan kestabilan walaupun pada suhu tinggi sehingga 1600°C. Produk ini dibuat dengan ketulenan tinggi melalui pemendapan wap kimia CVD di bawah keadaan pengklorinan suhu tinggi. Ia mempunyai permukaan yang padat dengan zarah halus, menjadikannya sangat tahan terhadap kakisan daripada asid, alkali, garam dan reagen organik.
Susceptor SiC kami untuk MOCVD direka untuk menjamin corak aliran gas lamina terbaik, memastikan kesamaan profil terma. Ia menghalang sebarang pencemaran atau penyebaran kekotoran, memastikan pertumbuhan epitaxial berkualiti tinggi pada cip wafer.


Parameter SiC Susceptor untuk MOCVD

Spesifikasi Utama Salutan CVD-SIC

Sifat SiC-CVD

Struktur Kristal

Fasa FCC β

Ketumpatan

g/cm ³

3.21

Kekerasan

Kekerasan Vickers

2500

Saiz bijirin

μm

2~10

Ketulenan Kimia

%

99.99995

Kapasiti Haba

J·kg-1 ·K-1

640

Suhu Sublimasi

2700

Kekuatan Feleksural

MPa (RT 4 mata)

415

Modulus Muda

Gpa (4pt selekoh, 1300â)

430

Pengembangan Terma (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Kekonduksian terma

(W/mK)

300


Ciri-ciri SiC Susceptor untuk MOCVD

- Elakkan mengelupas dan pastikan salutan pada semua permukaan
Rintangan pengoksidaan suhu tinggi: Stabil pada suhu tinggi sehingga 1600°C
Ketulenan tinggi: dibuat oleh pemendapan wap kimia CVD di bawah keadaan pengklorinan suhu tinggi.
Rintangan kakisan: kekerasan tinggi, permukaan padat dan zarah halus.
Rintangan kakisan: asid, alkali, garam dan reagen organik.
- Mencapai corak aliran gas lamina terbaik
- Menjamin kesekataan profil terma
- Elakkan sebarang pencemaran atau resapan bendasing




Teg Panas: SiC Susceptor untuk MOCVD, China, Pengilang, Pembekal, Kilang, Disesuaikan, Pukal, Lanjutan, Tahan Lama

Kategori Berkaitan

Hantar Pertanyaan

Sila berasa bebas untuk memberikan pertanyaan anda dalam borang di bawah. Kami akan membalas anda dalam masa 24 jam.
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept