Susceptor MOCVD Bersalut SiC

Semicorex ialah pengeluar dan pembekal terkemuka SiC Coated MOCVD Susceptor. Produk kami direka khas untuk industri semikonduktor untuk mengembangkan lapisan epitaxial pada cip wafer. Pembawa grafit bersalut Silicon Carbide ketulenan tinggi digunakan sebagai plat tengah dalam MOCVD, dengan reka bentuk gear atau berbentuk cincin. Susceptor kami digunakan secara meluas dalam peralatan MOCVD, memastikan rintangan haba dan kakisan yang tinggi, dan kestabilan yang hebat dalam persekitaran yang melampau.

Hantar Pertanyaan

Penerangan Produk

Salah satu ciri paling ketara bagi Susceptor MOCVD Bersalut SiC kami ialah ia memastikan salutan pada semua permukaan, mengelakkan pengelupasan. Produk ini mempunyai rintangan pengoksidaan suhu tinggi, yang stabil pada suhu tinggi sehingga 1600°C. Ketulenan tinggi dicapai dengan menggunakan pemendapan wap kimia CVD di bawah keadaan pengklorinan suhu tinggi. Produk ini mempunyai permukaan yang padat dengan zarah halus, menjadikannya sangat tahan terhadap kakisan daripada asid, alkali, garam dan reagen organik.
Susceptor MOCVD Bersalut SiC kami memastikan corak aliran gas lamina terbaik, yang menjamin kesamaan profil terma. Ini membantu untuk mengelakkan sebarang pencemaran atau penyebaran kekotoran, memastikan pertumbuhan epitaxial berkualiti tinggi pada cip wafer. Semicorex menawarkan kelebihan harga yang kompetitif dan meliputi kebanyakan pasaran Eropah dan Amerika. Pasukan kami berdedikasi untuk menyediakan perkhidmatan dan sokongan pelanggan yang cemerlang. Kami komited untuk menjadi rakan kongsi jangka panjang anda, menyediakan produk berkualiti tinggi dan boleh dipercayai untuk membantu perniagaan anda berkembang.

Parameter Susceptor MOCVD Bersalut SiC

Spesifikasi Utama Salutan CVD-SIC
Sifat SiC-CVD
Struktur Kristal	fasa FCC β
Ketumpatan	g/cm ³	3.21
Kekerasan	Kekerasan Vickers	2500
Saiz Bijirin	μm	2~10
Ketulenan Kimia	%	99.99995
Kapasiti Haba	J kg-1 K-1	640
Suhu Sublimasi	℃	2700
Kekuatan Feleksural	MPa (RT 4 mata)	415
Modulus Muda	Gpa (4pt selekoh, 1300℃)	430
Pengembangan Terma (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Kekonduksian terma	(W/mK)	300

Ciri-ciri Susceptor MOCVD Bersalut SiC

- Elakkan mengelupas dan pastikan salutan pada semua permukaan
Rintangan pengoksidaan suhu tinggi: Stabil pada suhu tinggi sehingga 1600°C
Ketulenan tinggi: dibuat oleh pemendapan wap kimia CVD di bawah keadaan pengklorinan suhu tinggi.
Rintangan kakisan: kekerasan tinggi, permukaan padat dan zarah halus.
Rintangan kakisan: asid, alkali, garam dan reagen organik.
- Mencapai corak aliran gas lamina terbaik
- Menjamin kesekataan profil terma
- Elakkan sebarang pencemaran atau resapan bendasing