Susceptor MOCVD untuk Pertumbuhan Epitaxial

Semicorex ialah pembekal dan pengeluar terkemuka MOCVD Susceptor untuk Pertumbuhan Epitaxial. Produk kami digunakan secara meluas dalam industri semikonduktor, terutamanya dalam pertumbuhan lapisan epitaxial pada cip wafer. Susceptor kami direka bentuk untuk digunakan sebagai plat tengah dalam MOCVD, dengan reka bentuk gear atau berbentuk cincin. Produk ini mempunyai rintangan haba dan kakisan yang tinggi, menjadikannya stabil dalam persekitaran yang melampau.

Hantar Pertanyaan

Penerangan Produk

Salah satu kelebihan Susceptor MOCVD kami untuk Pertumbuhan Epitaxial ialah keupayaannya untuk memastikan salutan pada semua permukaan, mengelakkan pengelupasan. Produk ini mempunyai rintangan pengoksidaan suhu tinggi, yang memastikan kestabilan pada suhu tinggi sehingga 1600°C. Ketulenan tinggi produk kami dicapai melalui pemendapan wap kimia CVD di bawah keadaan pengklorinan suhu tinggi. Permukaan yang padat dengan zarah halus memastikan produk itu sangat tahan kakisan daripada reagen asid, alkali, garam dan organik.
Susceptor MOCVD kami untuk Pertumbuhan Epitaxial direka untuk mencapai corak aliran gas lamina terbaik, memastikan kesamaan profil terma. Ini membantu mengelakkan sebarang pencemaran atau resapan kekotoran, memastikan pertumbuhan epitaxial berkualiti tinggi pada cip wafer.
Hubungi kami hari ini untuk mengetahui lebih lanjut tentang Susceptor MOCVD kami untuk Pertumbuhan Epitaxial.

Parameter Susceptor MOCVD untuk Pertumbuhan Epitaxial

Spesifikasi Utama Salutan CVD-SIC
Sifat SiC-CVD
Struktur Kristal	Fasa FCC Î²
Ketumpatan	g/cm ³	3.21
Kekerasan	Kekerasan Vickers	2500
Saiz bijirin	Î¼m	2~10
Ketulenan Kimia	%	99.99995
Kapasiti Haba	J·kg-1 ·K-1	640
Suhu Sublimasi	℃	2700
Kekuatan Feleksural	MPa (RT 4 mata)	415
Modulus Muda	Gpa (4pt selekoh, 1300â)	430
Pengembangan Terma (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Kekonduksian terma	(W/mK)	300

Ciri-ciri Susceptor MOCVD untuk Pertumbuhan Epitaxial

- Elakkan mengelupas dan pastikan salutan pada semua permukaan
Rintangan pengoksidaan suhu tinggi: Stabil pada suhu tinggi sehingga 1600°C
Ketulenan tinggi: dibuat oleh pemendapan wap kimia CVD di bawah keadaan pengklorinan suhu tinggi.
Rintangan kakisan: kekerasan tinggi, permukaan padat dan zarah halus.
Rintangan kakisan: asid, alkali, garam dan reagen organik.
- Mencapai corak aliran gas lamina terbaik
- Menjamin kesekataan profil terma
- Elakkan sebarang pencemaran atau resapan bendasing