Salutan SiC ialah lapisan nipis pada susceptor melalui proses pemendapan wap kimia (CVD). Bahan silikon karbida memberikan beberapa kelebihan berbanding silikon, termasuk 10x kekuatan medan elektrik pecahan, 3x jurang jalur, yang menyediakan bahan dengan suhu tinggi dan rintangan kimia, rintangan haus yang sangat baik serta kekonduksian terma.
Semicorex menyediakan perkhidmatan tersuai, membantu anda berinovasi dengan komponen yang tahan lebih lama, mengurangkan masa kitaran dan meningkatkan hasil.
Salutan SiC mempunyai beberapa kelebihan unik
Rintangan Suhu Tinggi: Susceptor bersalut CVD SiC boleh menahan suhu tinggi sehingga 1600°C tanpa mengalami degradasi haba yang ketara.
Rintangan Kimia: Salutan silikon karbida memberikan rintangan yang sangat baik terhadap pelbagai bahan kimia, termasuk asid, alkali dan pelarut organik.
Rintangan Haus: Salutan SiC menyediakan bahan dengan rintangan haus yang sangat baik, menjadikannya sesuai untuk aplikasi yang melibatkan haus dan lusuh yang tinggi.
Kekonduksian Terma: Salutan SiC CVD menyediakan bahan dengan kekonduksian terma yang tinggi, menjadikannya sesuai untuk digunakan dalam aplikasi suhu tinggi yang memerlukan pemindahan haba yang cekap.
Kekuatan dan Kekakuan Tinggi: Suseptor bersalut silikon karbida menyediakan bahan dengan kekuatan dan kekakuan yang tinggi, menjadikannya sesuai untuk aplikasi yang memerlukan kekuatan mekanikal yang tinggi.
Salutan SiC digunakan dalam pelbagai aplikasi
Pengilangan LED: Susceptor bersalut CVD SiC digunakan dalam pembuatan diproses pelbagai jenis LED, termasuk LED biru dan hijau, LED UV dan LED UV dalam, kerana kekonduksian haba yang tinggi dan rintangan kimia.
Komunikasi mudah alih: Susceptor bersalut CVD SiC ialah bahagian penting HEMT untuk melengkapkan proses epitaxial GaN-on-SiC.
Pemprosesan Semikonduktor: Susceptor bersalut CVD SiC digunakan dalam industri semikonduktor untuk pelbagai aplikasi, termasuk pemprosesan wafer dan pertumbuhan epitaxial.
Komponen grafit bersalut SiC
Diperbuat oleh grafit Salutan Silikon Karbida (SiC), salutan digunakan dengan kaedah CVD untuk gred tertentu grafit berketumpatan tinggi, supaya ia boleh beroperasi dalam relau suhu tinggi dengan lebih 3000 °C dalam suasana lengai, 2200°C dalam vakum .
Ciri khas dan jisim bahan yang rendah membolehkan kadar pemanasan yang cepat, pengagihan suhu seragam dan ketepatan yang luar biasa dalam kawalan.
Data bahan Salutan Semicorex SiC
Sifat tipikal |
Unit |
Nilai |
Struktur |
|
fasa FCC β |
Orientasi |
Pecahan (%) |
111 diutamakan |
Ketumpatan pukal |
g/cm³ |
3.21 |
Kekerasan |
Kekerasan Vickers |
2500 |
Kapasiti Haba |
J kg-1 K-1 |
640 |
Pengembangan terma 100–600 °C (212–1112 °F) |
10-6K-1 |
4.5 |
Modulus Muda |
Gpa (4pt selekoh, 1300℃) |
430 |
Saiz Bijirin |
μm |
2~10 |
Suhu Sublimasi |
℃ |
2700 |
Kekuatan Feleksural |
MPa (RT 4 mata) |
415 |
Kekonduksian terma |
(W/mK) |
300 |
Kesimpulan Suseptor bersalut CVD SiC ialah bahan komposit yang menggabungkan sifat suseptor dan silikon karbida. Bahan ini mempunyai sifat unik, termasuk suhu tinggi dan rintangan kimia, rintangan haus yang sangat baik, kekonduksian haba yang tinggi, dan kekuatan dan kekakuan yang tinggi. Ciri-ciri ini menjadikannya bahan yang menarik untuk pelbagai aplikasi suhu tinggi, termasuk pemprosesan semikonduktor, pemprosesan kimia, rawatan haba, pembuatan sel solar dan pembuatan LED.
Plat Pemegang Satelit Semicorex MOCVD ialah pembawa cemerlang yang direka untuk digunakan dalam industri semikonduktor. Ketulenannya yang tinggi, rintangan kakisan yang sangat baik, dan juga profil terma menjadikannya pilihan yang sangat baik untuk mereka yang mencari pembawa yang boleh menahan permintaan proses pembuatan semikonduktor. Kami komited untuk menyediakan pelanggan kami produk berkualiti tinggi yang memenuhi keperluan khusus mereka. Hubungi kami hari ini untuk mengetahui lebih lanjut mengenai Plat Pemegang Satelit MOCVD kami dan cara kami boleh membantu anda dengan keperluan pembuatan semikonduktor anda.
Baca LagiHantar PertanyaanAnda boleh yakin untuk membeli Pembawa Wafer Substrat SiC Coating Graphite untuk MOCVD dari kilang kami. Di Semicorex, kami adalah pengeluar dan pembekal Susceptor Grafit Bersalut SiC berskala besar di China. Produk kami mempunyai kelebihan harga yang baik dan meliputi kebanyakan pasaran Eropah dan Amerika. Kami berusaha untuk menyediakan pelanggan kami produk berkualiti tinggi yang memenuhi keperluan khusus mereka. Pembawa Wafer Substrat SiC Coating Graphite kami untuk MOCVD ialah pilihan terbaik bagi mereka yang mencari pembawa berprestasi tinggi untuk proses pembuatan semikonduktor mereka.
Baca LagiHantar PertanyaanSusceptors Asas Grafit Bersalut Semicorex SiC untuk MOCVD ialah pembawa kualiti unggul yang digunakan dalam industri semikonduktor. Produk kami direka dengan silikon karbida berkualiti tinggi yang memberikan prestasi cemerlang dan ketahanan yang tahan lama. Pembawa ini sesuai untuk digunakan dalam proses mengembangkan lapisan epitaxial pada cip wafer.
Baca LagiHantar PertanyaanSusceptors Semicorex untuk Reaktor MOCVD ialah produk berkualiti tinggi yang digunakan dalam industri semikonduktor untuk pelbagai aplikasi seperti lapisan silikon karbida dan semikonduktor epitaksi. Produk kami tersedia dalam bentuk gear atau cincin dan direka untuk mencapai rintangan pengoksidaan suhu tinggi, menjadikannya stabil pada suhu sehingga 1600°C.
Baca LagiHantar PertanyaanAnda boleh yakin untuk membeli Silicon Epitaxy Susceptors dari kilang kami. Silicon Epitaxy Susceptor Semicorex ialah produk berkualiti tinggi, ketulenan tinggi yang digunakan dalam industri semikonduktor untuk pertumbuhan epitaxial cip wafer. Produk kami mempunyai teknologi salutan unggul yang memastikan salutan hadir pada semua permukaan, menghalang pengelupasan. Produk ini stabil pada suhu tinggi sehingga 1600°C, menjadikannya sesuai untuk digunakan dalam persekitaran yang melampau.
Baca LagiHantar PertanyaanSemicorex ialah pengeluar dan pembekal utama SiC Susceptor untuk MOCVD. Produk kami direka khas untuk memenuhi keperluan industri semikonduktor dalam mengembangkan lapisan epitaxial pada cip wafer. Produk ini digunakan sebagai plat tengah dalam MOCVD, dengan reka bentuk gear atau berbentuk cincin. Ia mempunyai rintangan haba dan kakisan yang tinggi, menjadikannya sesuai untuk digunakan dalam persekitaran yang melampau.
Baca LagiHantar Pertanyaan