Plat Pembawa Grafit RTP Semicorex ialah penyelesaian yang sempurna untuk aplikasi pemprosesan wafer semikonduktor, termasuk pertumbuhan epitaxial dan pemprosesan pengendalian wafer. Produk kami direka bentuk untuk menawarkan rintangan haba yang unggul dan keseragaman terma, memastikan suseptor epitaksi tertakluk kepada persekitaran pemendapan, dengan rintangan haba dan kakisan yang tinggi.
Produk kami mempunyai grafit bersalut SiC ketulenan tinggi, yang menawarkan ciri pengedaran haba yang sangat baik, memastikan pembawa bersalut SiC mempunyai permukaan licin, bebas daripada retakan dan penembusan. Plat Pembawa Grafit RTP kami bersalut silikon karbida yang halus, memastikan permukaannya licin dan bebas daripada sebarang kecacatan. Produk ini sangat tahan lasak terhadap pembersihan kimia yang keras dan direka untuk memastikan keretakan dan penyingkiran tidak berlaku.
Kami menawarkan kelebihan harga yang tidak dapat dipadankan oleh pesaing kami, dan kami komited untuk menjadi rakan kongsi jangka panjang anda di China.
Dengan plat pembawa grafit RTP kami, anda boleh yakin dengan prestasi cemerlang, rintangan haba yang unggul dan keseragaman terma. Pembawa bersalut SiC direka bentuk untuk menahan suhu tinggi dan sangat tahan terhadap pembersihan kimia, memastikan ia bertahan selama bertahun-tahun. Produk kami juga direka bentuk untuk mudah digunakan, menjadikannya sesuai untuk pengguna baharu dan berpengalaman.
Di Semicorex, kami komited untuk menyediakan produk dan perkhidmatan berkualiti tinggi kepada pelanggan kami. Kami hanya menggunakan bahan terbaik, dan produk kami direka untuk memenuhi standard kualiti dan prestasi tertinggi. Plat Pembawa Grafit RTP kami tidak terkecuali. Hubungi kami hari ini untuk mengetahui lebih lanjut tentang cara kami boleh membantu anda dengan keperluan pemprosesan wafer semikonduktor anda.
Parameter Plat Pembawa Grafit RTP
Spesifikasi Utama Salutan CVD-SIC |
||
Sifat SiC-CVD |
||
Struktur Kristal |
fasa FCC β |
|
Ketumpatan |
g/cm ³ |
3.21 |
Kekerasan |
Kekerasan Vickers |
2500 |
Saiz Bijirin |
μm |
2~10 |
Ketulenan Kimia |
% |
99.99995 |
Kapasiti Haba |
J kg-1 K-1 |
640 |
Suhu Sublimasi |
℃ |
2700 |
Kekuatan Feleksural |
MPa (RT 4 mata) |
415 |
Modulus Muda |
Gpa (4pt selekoh, 1300℃) |
430 |
Pengembangan Terma (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
Kekonduksian terma |
(W/mK) |
300 |
Ciri-ciri Plat Pembawa Grafit RTP
Grafit bersalut SiC ketulenan tinggi
Rintangan haba yang unggul & keseragaman haba
Disalut kristal SiC halus untuk permukaan licin
Ketahanan tinggi terhadap pembersihan kimia
Bahan direka supaya keretakan dan delaminasi tidak berlaku.