Rumah > Produk > Bersalut Silikon Karbida > Pembawa RTP > Plat Pembawa RTP SiC Graphite untuk MOCVD
Plat Pembawa RTP SiC Graphite untuk MOCVD

Plat Pembawa RTP SiC Graphite untuk MOCVD

Semicorex SiC Graphite RTP Carrier Plate untuk MOCVD menawarkan rintangan haba yang unggul dan keseragaman terma, menjadikannya penyelesaian yang sempurna untuk aplikasi pemprosesan wafer semikonduktor. Dengan grafit bersalut SiC berkualiti tinggi, produk ini direka bentuk untuk menahan persekitaran pemendapan paling keras untuk pertumbuhan epitaxial. Kekonduksian terma yang tinggi dan sifat pengedaran haba yang sangat baik memastikan prestasi yang boleh dipercayai untuk RTA, RTP, atau pembersihan kimia yang keras.

Hantar Pertanyaan

Penerangan Produk

Plat Pembawa RTP SiC Graphite kami untuk MOCVD untuk Pertumbuhan Epitaxial MOCVD ialah penyelesaian yang sempurna untuk pengendalian wafer dan pemprosesan pertumbuhan epitaxial. Dengan permukaan licin dan ketahanan yang tinggi terhadap pembersihan kimia, produk ini memastikan prestasi yang boleh dipercayai dalam persekitaran pemendapan yang keras.
Bahan plat pembawa RTP grafit SiC kami untuk MOCVD direka bentuk untuk mengelakkan keretakan dan penembusan, manakala rintangan haba yang unggul dan keseragaman terma memastikan prestasi yang konsisten untuk RTA, RTP atau pembersihan kimia yang keras.
Hubungi kami hari ini untuk mengetahui lebih lanjut tentang Plat Pembawa RTP SiC Graphite kami untuk MOCVD.


Parameter Plat Pembawa RTP SiC Graphite untuk MOCVD

Spesifikasi Utama Salutan CVD-SIC

Sifat SiC-CVD

Struktur Kristal

fasa FCC β

Ketumpatan

g/cm ³

3.21

Kekerasan

Kekerasan Vickers

2500

Saiz Bijirin

μm

2~10

Ketulenan Kimia

%

99.99995

Kapasiti Haba

J kg-1 K-1

640

Suhu Sublimasi

2700

Kekuatan Feleksural

MPa (RT 4 mata)

415

Modulus Muda

Gpa (4pt selekoh, 1300℃)

430

Pengembangan Terma (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Kekonduksian terma

(W/mK)

300


Ciri-ciri Plat Pembawa SiC Graphite RTP untuk MOCVD

Grafit bersalut SiC ketulenan tinggi
Rintangan haba yang unggul & keseragaman haba
Disalut kristal SiC halus untuk permukaan licin
Ketahanan tinggi terhadap pembersihan kimia
Bahan direka supaya keretakan dan delaminasi tidak berlaku.





Teg Panas: Plat Pembawa SiC Graphite RTP untuk MOCVD, China, Pengilang, Pembekal, Kilang, Disesuaikan, Pukal, Lanjutan, Tahan Lama
Kategori Berkaitan
Hantar Pertanyaan
Sila berasa bebas untuk memberikan pertanyaan anda dalam borang di bawah. Kami akan membalas anda dalam masa 24 jam.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept