Pembawa Salutan SiC RTP/RTA

Pembawa Salutan Semicorex RTP/RTA SiC direka bentuk untuk menahan keadaan paling sukar dalam persekitaran pemendapan. Dengan haba yang tinggi dan rintangan kakisan, produk ini direka untuk memberikan prestasi optimum untuk pertumbuhan epitaxial. Pembawa bersalut SiC mempunyai kekonduksian terma yang tinggi dan sifat pengagihan haba yang sangat baik, memastikan prestasi yang boleh dipercayai untuk RTA, RTP atau pembersihan kimia yang keras.

Hantar Pertanyaan

Penerangan Produk

Pembawa Salutan SiC RTP/RTA kami untuk Pertumbuhan Epitaxial MOCVD ialah penyelesaian yang sempurna untuk pengendalian wafer dan pemprosesan pertumbuhan epitaxial. Dengan permukaan licin dan ketahanan yang tinggi terhadap pembersihan kimia, produk ini menawarkan prestasi yang boleh dipercayai dalam persekitaran pemendapan yang keras.
Bahan pembawa salutan RTP/RTA SiC kami direka bentuk untuk mengelakkan keretakan dan penembusan, manakala rintangan haba yang unggul dan keseragaman terma memastikan prestasi yang konsisten untuk RTA, RTP atau pembersihan kimia yang keras.
Hubungi kami hari ini untuk mengetahui lebih lanjut tentang pembawa salutan RTP/RTA SiC kami

Parameter Pembawa Salutan RTP/RTA SiC

Spesifikasi Utama Salutan CVD-SIC
Sifat SiC-CVD
Struktur Kristal	fasa FCC β
Ketumpatan	g/cm ³	3.21
Kekerasan	Kekerasan Vickers	2500
Saiz Bijirin	μm	2~10
Ketulenan Kimia	%	99.99995
Kapasiti Haba	J kg-1 K-1	640
Suhu Sublimasi	℃	2700
Kekuatan Feleksural	MPa (RT 4 mata)	415
Modulus Muda	Gpa (4pt selekoh, 1300℃)	430
Pengembangan Terma (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Kekonduksian terma	(W/mK)	300

Ciri-ciri Pembawa Salutan RTP/RTA SiC

Grafit bersalut SiC ketulenan tinggi
Rintangan haba yang unggul & keseragaman haba
Disalut kristal SiC halus untuk permukaan licin
Ketahanan tinggi terhadap pembersihan kimia
Bahan direka supaya keretakan dan delaminasi tidak berlaku.