Rumah > Produk > Bersalut Silikon Karbida > Pembawa RTP > Plat Pembawa RTP Bersalut SiC untuk Pertumbuhan Epitaxial
Plat Pembawa RTP Bersalut SiC untuk Pertumbuhan Epitaxial

Plat Pembawa RTP Bersalut SiC untuk Pertumbuhan Epitaxial

Plat Pembawa RTP Bersalut Semicorex SiC untuk Pertumbuhan Epitaxial ialah penyelesaian yang sempurna untuk aplikasi pemprosesan wafer semikonduktor. Dengan susceptor grafit karbon berkualiti tinggi dan mangkuk kuarza yang diproses oleh MOCVD pada permukaan grafit, seramik, dsb., produk ini sesuai untuk pengendalian wafer dan pemprosesan pertumbuhan epitaxial. Pembawa bersalut SiC memastikan kekonduksian terma yang tinggi dan sifat pengedaran haba yang sangat baik, menjadikannya pilihan yang boleh dipercayai untuk RTA, RTP atau pembersihan kimia yang keras.

Hantar Pertanyaan

Penerangan Produk

Plat Pembawa RTP Bersalut SiC kami untuk Pertumbuhan Epitaxial direka untuk menahan keadaan paling sukar dalam persekitaran pemendapan. Dengan haba yang tinggi dan rintangan kakisan, susceptor epitaksi tertakluk kepada persekitaran pemendapan yang sempurna untuk pertumbuhan epitaksi. Salutan kristal SiC yang halus pada pembawa memastikan permukaan yang licin dan ketahanan yang tinggi terhadap pembersihan kimia, manakala bahan direka bentuk untuk mengelakkan keretakan dan penyimpangan.
Hubungi kami hari ini untuk mengetahui lebih lanjut tentang Plat Pembawa RTP Bersalut SiC kami untuk Pertumbuhan Epitaxial.


Parameter Plat Pembawa RTP Bersalut SiC untuk Pertumbuhan Epitaxial

Spesifikasi Utama Salutan CVD-SIC

Sifat SiC-CVD

Struktur Kristal

fasa FCC β

Ketumpatan

g/cm ³

3.21

Kekerasan

Kekerasan Vickers

2500

Saiz Bijirin

μm

2~10

Ketulenan Kimia

%

99.99995

Kapasiti Haba

J kg-1 K-1

640

Suhu Sublimasi

2700

Kekuatan Feleksural

MPa (RT 4 mata)

415

Modulus Muda

Gpa (4pt selekoh, 1300℃)

430

Pengembangan Terma (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Kekonduksian terma

(W/mK)

300


Ciri-ciri Plat Pembawa RTP Bersalut SiC untuk Pertumbuhan Epitaxial

Grafit bersalut SiC ketulenan tinggi
Rintangan haba yang unggul & keseragaman haba
Disalut kristal SiC halus untuk permukaan licin
Ketahanan tinggi terhadap pembersihan kimia
Bahan direka supaya keretakan dan delaminasi tidak berlaku.





Teg Panas: Plat Pembawa RTP Bersalut SiC untuk Pertumbuhan Epitaxial, China, Pengilang, Pembekal, Kilang, Disesuaikan, Pukal, Termaju, Tahan Lama
Kategori Berkaitan
Hantar Pertanyaan
Sila berasa bebas untuk memberikan pertanyaan anda dalam borang di bawah. Kami akan membalas anda dalam masa 24 jam.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept