Susceptors Asas Grafit Bersalut SiC untuk MOCVD

Susceptors Asas Grafit Bersalut Semicorex SiC untuk MOCVD ialah pembawa kualiti unggul yang digunakan dalam industri semikonduktor. Produk kami direka dengan silikon karbida berkualiti tinggi yang memberikan prestasi cemerlang dan ketahanan yang tahan lama. Pembawa ini sesuai untuk digunakan dalam proses mengembangkan lapisan epitaxial pada cip wafer.

Hantar Pertanyaan

Penerangan Produk

Susceptors Pangkalan Grafit Bersalut SiC kami untuk MOCVD mempunyai rintangan haba dan kakisan yang tinggi yang memastikan kestabilan yang hebat walaupun dalam persekitaran yang melampau.
Ciri-ciri Susceptors Pangkalan Grafit Bersalut SiC ini untuk MOCVD adalah luar biasa. Ia dibuat dengan salutan silikon karbida ketulenan tinggi pada grafit, yang menjadikannya sangat tahan terhadap pengoksidaan pada suhu tinggi sehingga 1600°C. Proses pemendapan wap kimia CVD yang digunakan dalam pembuatannya memastikan ketulenan tinggi dan rintangan kakisan yang sangat baik. Permukaan pembawa adalah padat, dengan zarah halus yang meningkatkan ketahanan kakisannya, menjadikannya tahan terhadap asid, alkali, garam dan reagen organik.
Susceptors Pangkalan Grafit Bersalut SiC kami untuk MOCVD memastikan profil haba yang sekata, menjamin corak aliran gas lamina terbaik. Ia menghalang sebarang pencemaran atau kekotoran daripada meresap ke dalam wafer, menjadikannya sesuai untuk digunakan dalam persekitaran bilik bersih. Semicorex ialah pengeluar dan pembekal SiC Coated Graphite Susceptor berskala besar di China, dan produk kami mempunyai kelebihan harga yang baik. Kami berharap untuk menjadi rakan kongsi jangka panjang anda dalam industri semikonduktor.

Parameter Susceptors Pangkalan Grafit Bersalut SiC untuk MOCVD

Spesifikasi Utama Salutan CVD-SIC
Sifat SiC-CVD
Struktur Kristal	Fasa FCC Î²
Ketumpatan	g/cm ³	3.21
Kekerasan	Kekerasan Vickers	2500
Saiz bijirin	Î¼m	2~10
Ketulenan Kimia	%	99.99995
Kapasiti Haba	J·kg-1 ·K-1	640
Suhu Sublimasi	℃	2700
Kekuatan Feleksural	MPa (RT 4 mata)	415
Modulus Muda	Gpa (4pt selekoh, 1300â)	430
Pengembangan Terma (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Kekonduksian terma	(W/mK)	300

Ciri-ciri Susceptor Grafit Bersalut SiC untuk MOCVD

- Elakkan mengelupas dan pastikan salutan pada semua permukaan
Rintangan pengoksidaan suhu tinggi: Stabil pada suhu tinggi sehingga 1600°C
Ketulenan tinggi: dibuat oleh pemendapan wap kimia CVD di bawah keadaan pengklorinan suhu tinggi.
Rintangan kakisan: kekerasan tinggi, permukaan padat dan zarah halus.
Rintangan kakisan: asid, alkali, garam dan reagen organik.
- Mencapai corak aliran gas lamina terbaik
- Menjamin kesekataan profil terma
- Elakkan sebarang pencemaran atau resapan bendasing