Susceptors MOCVD Grafit bersalut SiC

Suseptor MOCVD grafit bersalut SiCadalah komponen penting yang digunakan dalam peralatan pemendapan wap kimia logam-organik (MOCVD), yang bertanggungjawab untuk memegang dan memanaskan substrat wafer. Dengan pengurusan haba yang unggul, rintangan kimia dan kestabilan dimensi, suseptor MOCVD grafit bersalut SiC dianggap sebagai pilihan optimum untuk epitaksi substrat wafer berkualiti tinggi.

Dalam fabrikasi wafer, yangMOCVDteknologi digunakan untuk membina lapisan epitaxial pada permukaan substrat wafer, menyediakan untuk fabrikasi peranti semikonduktor termaju. Oleh kerana pertumbuhan lapisan epitaxial dipengaruhi oleh pelbagai faktor, substrat wafer tidak boleh diletakkan terus dalam peralatan MOCVD untuk pemendapan. Suseptor MOCVD grafit bersalut SiC diperlukan untuk memegang dan memanaskan substrat wafer, mewujudkan keadaan terma yang stabil untuk pertumbuhan lapisan epitaxial. Oleh itu, prestasi suseptor MOCVD grafit bersalut SiC secara langsung menentukan keseragaman dan ketulenan bahan filem nipis, yang seterusnya memberi kesan kepada pembuatan peranti semikonduktor termaju.

Semicorex memilihgrafit ketulenan tinggisebagai bahan matriks untuk suseptor MOCVD grafit bersalut SiC dan kemudian menyalut seragam matriks grafit dengansilikon karbidasalutan melalui teknologi CVD. Berbanding dengan teknologi konvensional, teknologi CVD meningkatkan kekuatan ikatan antara salutan silikon karbida dan matriks grafit dengan ketara, menghasilkan salutan yang lebih padat dengan lekatan yang lebih kuat. Walaupun di bawah suasana menghakis suhu tinggi yang menuntut, salutan silikon karbida mengekalkan integriti struktur dan kestabilan kimia dalam tempoh yang lama, dengan berkesan menghalang sentuhan langsung antara gas menghakis dan matriks grafit. Ini secara berkesan mengelakkan kakisan matriks grafit dan menghalang zarah grafit daripada tertanggal dan mencemari substrat wafer dan lapisan epitaxial, memastikan kebersihan dan hasil fabrikasi peranti semikonduktor.

Kelebihan suseptor MOCVD grafit bersalut SiC Semicorex

1. rintangan kakisan yang sangat baik

2. Kekonduksian haba yang tinggi

3. Kestabilan haba yang unggul

4. Pekali pengembangan haba yang rendah

5. Rintangan kejutan haba yang luar biasa

6. Kelicinan permukaan yang tinggi

7. Ketahanan hayat perkhidmatan