Salutan SiC ialah lapisan nipis pada susceptor melalui proses pemendapan wap kimia (CVD). Bahan silikon karbida memberikan beberapa kelebihan berbanding silikon, termasuk 10x kekuatan medan elektrik pecahan, 3x jurang jalur, yang menyediakan bahan dengan suhu tinggi dan rintangan kimia, rintangan haus yang sangat baik serta kekonduksian terma.
Semicorex menyediakan perkhidmatan tersuai, membantu anda berinovasi dengan komponen yang tahan lebih lama, mengurangkan masa kitaran dan meningkatkan hasil.
Salutan SiC mempunyai beberapa kelebihan unik
Rintangan Suhu Tinggi: Susceptor bersalut CVD SiC boleh menahan suhu tinggi sehingga 1600°C tanpa mengalami degradasi haba yang ketara.
Rintangan Kimia: Salutan silikon karbida memberikan rintangan yang sangat baik terhadap pelbagai bahan kimia, termasuk asid, alkali dan pelarut organik.
Rintangan Haus: Salutan SiC menyediakan bahan dengan rintangan haus yang sangat baik, menjadikannya sesuai untuk aplikasi yang melibatkan haus dan lusuh yang tinggi.
Kekonduksian Terma: Salutan SiC CVD menyediakan bahan dengan kekonduksian terma yang tinggi, menjadikannya sesuai untuk digunakan dalam aplikasi suhu tinggi yang memerlukan pemindahan haba yang cekap.
Kekuatan dan Kekakuan Tinggi: Suseptor bersalut silikon karbida menyediakan bahan dengan kekuatan dan kekakuan yang tinggi, menjadikannya sesuai untuk aplikasi yang memerlukan kekuatan mekanikal yang tinggi.
Salutan SiC digunakan dalam pelbagai aplikasi
Pengilangan LED: Susceptor bersalut CVD SiC digunakan dalam pembuatan diproses pelbagai jenis LED, termasuk LED biru dan hijau, LED UV dan LED UV dalam, kerana kekonduksian haba yang tinggi dan rintangan kimia.
Komunikasi mudah alih: Susceptor bersalut CVD SiC ialah bahagian penting HEMT untuk melengkapkan proses epitaxial GaN-on-SiC.
Pemprosesan Semikonduktor: Susceptor bersalut CVD SiC digunakan dalam industri semikonduktor untuk pelbagai aplikasi, termasuk pemprosesan wafer dan pertumbuhan epitaxial.
Komponen grafit bersalut SiC
Diperbuat oleh grafit Salutan Silikon Karbida (SiC), salutan digunakan dengan kaedah CVD untuk gred tertentu grafit berketumpatan tinggi, supaya ia boleh beroperasi dalam relau suhu tinggi dengan lebih 3000 °C dalam suasana lengai, 2200°C dalam vakum .
Ciri khas dan jisim bahan yang rendah membolehkan kadar pemanasan yang cepat, pengagihan suhu seragam dan ketepatan yang luar biasa dalam kawalan.
Data bahan Salutan Semicorex SiC
Sifat tipikal |
Unit |
Nilai |
Struktur |
|
fasa FCC β |
Orientasi |
Pecahan (%) |
111 diutamakan |
Ketumpatan pukal |
g/cm³ |
3.21 |
Kekerasan |
Kekerasan Vickers |
2500 |
Kapasiti Haba |
J kg-1 K-1 |
640 |
Pengembangan terma 100–600 °C (212–1112 °F) |
10-6K-1 |
4.5 |
Modulus Muda |
Gpa (4pt selekoh, 1300℃) |
430 |
Saiz Bijirin |
μm |
2~10 |
Suhu Sublimasi |
℃ |
2700 |
Kekuatan Feleksural |
MPa (RT 4 mata) |
415 |
Kekonduksian terma |
(W/mK) |
300 |
Kesimpulan Suseptor bersalut CVD SiC ialah bahan komposit yang menggabungkan sifat suseptor dan silikon karbida. Bahan ini mempunyai sifat unik, termasuk suhu tinggi dan rintangan kimia, rintangan haus yang sangat baik, kekonduksian haba yang tinggi, dan kekuatan dan kekakuan yang tinggi. Ciri-ciri ini menjadikannya bahan yang menarik untuk pelbagai aplikasi suhu tinggi, termasuk pemprosesan semikonduktor, pemprosesan kimia, rawatan haba, pembuatan sel solar dan pembuatan LED.
Pembawa Wafer grafit bersalut Semicorex SiC direka untuk menyediakan pengendalian wafer yang boleh dipercayai semasa proses pertumbuhan epitaxial semikonduktor, menawarkan rintangan suhu tinggi dan kekonduksian terma yang sangat baik. Dengan teknologi bahan termaju dan tumpuan pada ketepatan, Semicorex memberikan prestasi dan ketahanan yang unggul, memastikan hasil yang optimum untuk aplikasi semikonduktor yang paling mencabar.*
Baca LagiHantar PertanyaanSemicorex SiC Coated Graphite Waferholder ialah komponen berprestasi tinggi yang direka untuk pengendalian wafer yang tepat dalam proses pertumbuhan epitaksi semikonduktor. Kepakaran Semicorex dalam bahan dan pembuatan termaju memastikan produk kami menawarkan kebolehpercayaan, ketahanan dan penyesuaian yang tiada tandingan untuk pengeluaran semikonduktor yang optimum.*
Baca LagiHantar PertanyaanDulang Karbida Silikon Semicorex dibina untuk menahan keadaan yang melampau sambil memastikan prestasi yang luar biasa. Ia memainkan peranan penting dalam proses etsa ICP, resapan semikonduktor, dan proses epitaxial MOCVD.
Baca LagiHantar PertanyaanSemicorex MOCVD Waferholder ialah komponen yang sangat diperlukan untuk pertumbuhan epitaksi SiC, menawarkan pengurusan haba yang unggul, rintangan kimia dan kestabilan dimensi. Dengan memilih pemegang wafer Semicorex, anda meningkatkan prestasi proses MOCVD anda, membawa kepada produk berkualiti tinggi dan kecekapan yang lebih tinggi dalam operasi pembuatan semikonduktor anda. *
Baca LagiHantar PertanyaanKomponen Epitaxy Semicorex ialah elemen penting dalam penghasilan substrat SiC berkualiti tinggi untuk aplikasi semikonduktor termaju, pilihan yang boleh dipercayai untuk sistem reaktor LPE. Dengan memilih Komponen Semicorex Epitaxy, pelanggan boleh yakin dengan pelaburan mereka dan meningkatkan keupayaan pengeluaran mereka dalam pasaran semikonduktor yang kompetitif.*
Baca LagiHantar PertanyaanSemicorex MOCVD 3x2’’ Susceptor yang dibangunkan oleh Semicorex mewakili kemuncak kecemerlangan inovasi dan kejuruteraan, khusus disesuaikan untuk memenuhi permintaan rumit proses pembuatan semikonduktor kontemporari.**
Baca LagiHantar Pertanyaan