Salutan SiC ialah lapisan nipis pada susceptor melalui proses pemendapan wap kimia (CVD). Bahan silikon karbida memberikan beberapa kelebihan berbanding silikon, termasuk 10x kekuatan medan elektrik pecahan, 3x jurang jalur, yang menyediakan bahan dengan suhu tinggi dan rintangan kimia, rintangan haus yang sangat baik serta kekonduksian terma.
Semicorex menyediakan perkhidmatan tersuai, membantu anda berinovasi dengan komponen yang tahan lebih lama, mengurangkan masa kitaran dan meningkatkan hasil.
Salutan SiC mempunyai beberapa kelebihan unik
Rintangan Suhu Tinggi: Susceptor bersalut CVD SiC boleh menahan suhu tinggi sehingga 1600°C tanpa mengalami degradasi haba yang ketara.
Rintangan Kimia: Salutan silikon karbida memberikan rintangan yang sangat baik terhadap pelbagai bahan kimia, termasuk asid, alkali dan pelarut organik.
Rintangan Haus: Salutan SiC menyediakan bahan dengan rintangan haus yang sangat baik, menjadikannya sesuai untuk aplikasi yang melibatkan haus dan lusuh yang tinggi.
Kekonduksian Terma: Salutan SiC CVD menyediakan bahan dengan kekonduksian terma yang tinggi, menjadikannya sesuai untuk digunakan dalam aplikasi suhu tinggi yang memerlukan pemindahan haba yang cekap.
Kekuatan dan Kekakuan Tinggi: Suseptor bersalut silikon karbida menyediakan bahan dengan kekuatan dan kekakuan yang tinggi, menjadikannya sesuai untuk aplikasi yang memerlukan kekuatan mekanikal yang tinggi.
Salutan SiC digunakan dalam pelbagai aplikasi
Pengilangan LED: Susceptor bersalut CVD SiC digunakan dalam pembuatan diproses pelbagai jenis LED, termasuk LED biru dan hijau, LED UV dan LED UV dalam, kerana kekonduksian haba yang tinggi dan rintangan kimia.
Komunikasi mudah alih: Susceptor bersalut CVD SiC ialah bahagian penting HEMT untuk melengkapkan proses epitaxial GaN-on-SiC.
Pemprosesan Semikonduktor: Susceptor bersalut CVD SiC digunakan dalam industri semikonduktor untuk pelbagai aplikasi, termasuk pemprosesan wafer dan pertumbuhan epitaxial.
Komponen grafit bersalut SiC
Diperbuat oleh grafit Salutan Silikon Karbida (SiC), salutan digunakan dengan kaedah CVD untuk gred tertentu grafit berketumpatan tinggi, supaya ia boleh beroperasi dalam relau suhu tinggi dengan lebih 3000 °C dalam suasana lengai, 2200°C dalam vakum .
Ciri khas dan jisim bahan yang rendah membolehkan kadar pemanasan yang cepat, pengagihan suhu seragam dan ketepatan yang luar biasa dalam kawalan.
Data bahan Salutan Semicorex SiC
Sifat tipikal |
Unit |
Nilai |
Struktur |
|
fasa FCC β |
Orientasi |
Pecahan (%) |
111 diutamakan |
Ketumpatan pukal |
g/cm³ |
3.21 |
Kekerasan |
Kekerasan Vickers |
2500 |
Kapasiti Haba |
J kg-1 K-1 |
640 |
Pengembangan terma 100–600 °C (212–1112 °F) |
10-6K-1 |
4.5 |
Modulus Muda |
Gpa (4pt selekoh, 1300℃) |
430 |
Saiz Bijirin |
μm |
2~10 |
Suhu Sublimasi |
℃ |
2700 |
Kekuatan Feleksural |
MPa (RT 4 mata) |
415 |
Kekonduksian terma |
(W/mK) |
300 |
Kesimpulan Suseptor bersalut CVD SiC ialah bahan komposit yang menggabungkan sifat suseptor dan silikon karbida. Bahan ini mempunyai sifat unik, termasuk suhu tinggi dan rintangan kimia, rintangan haus yang sangat baik, kekonduksian haba yang tinggi, dan kekuatan dan kekakuan yang tinggi. Ciri-ciri ini menjadikannya bahan yang menarik untuk pelbagai aplikasi suhu tinggi, termasuk pemprosesan semikonduktor, pemprosesan kimia, rawatan haba, pembuatan sel solar dan pembuatan LED.
Sistem Reaktor Semicorex Liquid Phase Epitaxy (LPE) ialah produk inovatif yang menawarkan prestasi terma yang sangat baik, malah profil terma, dan lekatan salutan yang unggul. Ketulenannya yang tinggi, rintangan pengoksidaan suhu tinggi, dan rintangan kakisan menjadikannya pilihan yang ideal untuk digunakan dalam industri semikonduktor. Pilihan yang boleh disesuaikan dan keberkesanan kos menjadikannya produk yang sangat kompetitif di pasaran.
Baca LagiHantar PertanyaanSemicorex CVD Epitaxial Deposition In Barrel Reactor ialah produk yang sangat tahan lama dan boleh dipercayai untuk mengembangkan lapisan epixial pada cip wafer. Rintangan pengoksidaan suhu tinggi dan ketulenan tinggi menjadikannya sesuai untuk digunakan dalam industri semikonduktor. Profil termanya yang sekata, corak aliran gas lamina dan pencegahan pencemaran menjadikannya pilihan ideal untuk pertumbuhan lapisan epixial berkualiti tinggi.
Baca LagiHantar PertanyaanJika anda memerlukan susceptor grafit berprestasi tinggi untuk digunakan dalam aplikasi pembuatan semikonduktor, Semicorex Silicon Epitaxial Deposition In Barrel Reactor ialah pilihan yang ideal. Salutan SiC ketulenan tinggi dan kekonduksian terma yang luar biasa memberikan perlindungan yang unggul dan sifat pengagihan haba, menjadikannya pilihan utama untuk prestasi yang boleh dipercayai dan konsisten walaupun dalam persekitaran yang paling mencabar.
Baca LagiHantar PertanyaanJika anda memerlukan susceptor grafit dengan kekonduksian terma yang luar biasa dan sifat pengagihan haba, tidak perlu mencari lebih jauh daripada Sistem Epi Tong Dipanaskan Secara Alur Semicorex. Salutan SiC ketulenan tingginya memberikan perlindungan unggul dalam persekitaran suhu tinggi dan menghakis, menjadikannya pilihan ideal untuk digunakan dalam aplikasi pembuatan semikonduktor.
Baca LagiHantar PertanyaanDengan kekonduksian terma yang luar biasa dan sifat pengagihan haba, Struktur Tong Semicorex untuk Reaktor Epitaxial Semikonduktor ialah pilihan yang tepat untuk digunakan dalam proses LPE dan aplikasi pembuatan semikonduktor lain. Salutan SiC ketulenan tingginya memberikan perlindungan unggul dalam persekitaran suhu tinggi dan menghakis.
Baca LagiHantar PertanyaanJika anda sedang mencari susceptor grafit berprestasi tinggi untuk digunakan dalam aplikasi pembuatan semikonduktor, Susceptor Barrel Graphite Bersalut Semicorex SiC ialah pilihan yang ideal. Kekonduksian haba yang luar biasa dan sifat pengagihan haba menjadikannya pilihan utama untuk prestasi yang boleh dipercayai dan konsisten dalam persekitaran suhu tinggi dan menghakis.
Baca LagiHantar Pertanyaan